INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD600 2SD600K
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SB631 / 631K
高
击穿电压V
首席执行官
100/120V
高
电流1A
ULOW
饱和电压
应用
For
低频功率放大器
应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
参数
2SD600
集电极 - 基极电压
2SD600K
2SD600
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2SD600K
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
结温
储存温度
8
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
120
5
1
2
1
W
V
A
A
发射极开路
120
100
V
条件
价值
100
V
单位
