SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
2SD425 2SD426
符号
民
典型值。
最大
单位
2SD425
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD426
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
140
V
120
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
5
V
2SD425
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
2SD426
3.0
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
40
2.5
V
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
基射极电压上
V
集电极截止电流
0.1
mA
发射极截止电流
0.1
mA
直流电流增益
140
跃迁频率
5
兆赫
2
