添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第266页 > 2SD425
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD425 2SD426
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2SB555 / 556
高
功耗
应用
“权力
扩增fi er应用
“推荐
对于大功率高保真
音频放大器的输出级
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
固电
IN
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
2SD425
2SD426
2SD425
2SD426
导½
半
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
140
120
140
单位
发射极开路
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
120
集电极开路
5
12
12
T
C
=25℃
100
150
-65~150
V
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SD425 2SD426
民
典型值。
最大
单位
2SD425
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD426
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
140
V
120
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
5
V
2SD425
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
2SD426
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
3.0
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
2.5
V
I
CBO
集电极截止电流
I
EBO
h
FE
固电
IN
发射极截止电流
直流电流增益
f
T
跃迁频率
ES
昂
CH
导½
半
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
ON
MIC
E
OR
DUT
40
5
0.1
mA
0.1
mA
140
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD425 2SD426
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD425 2SD426
描述
·采用TO-3封装
·补键入2SB555 / 556
·高功耗
应用
·功率放大器应用
·推荐用于高功率高保真
音频放大器的输出级
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2SD425
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SD426
2SD425
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SD426
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
120
5
12
12
100
150
-65~150
V
A
A
W
发射极开路
120
140
V
条件
价值
140
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
2SD425 2SD426
符号
民
典型值。
最大
单位
2SD425
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD426
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
140
V
120
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
5
V
2SD425
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
2SD426
3.0
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
40
2.5
V
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
基射极电压上
V
集电极截止电流
0.1
mA
发射极截止电流
0.1
mA
直流电流增益
140
跃迁频率
5
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD425 2SD426
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD425 2SD426
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2SB555 / 556
高
功耗
应用
“权力
扩增fi er应用
“推荐
对于大功率高保真
音频放大器的输出级
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2SD425
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SD426
2SD425
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SD426
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
120
5
12
12
100
150
-65~150
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
120
140
V
条件
价值
140
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SD425 2SD426
民
典型值。
最大
单位
2SD425
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD426
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
140
V
120
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
5
V
2SD425
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
2SD426
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
3.0
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
2.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 50V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
40
140
f
T
跃迁频率
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
5
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD425 2SD426
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
查看更多2SD425PDF信息
推荐型号
23602.5
206-1212LPSN
26PCJSG5G
254970
24LCS61_04
2106124-2
295
2SB1550
2SD1328S
252A203CTB
2SD727
22-28-2104
2SK3570-Z
2.22202E+11
24546
2-1437590-6
20D820K
2SK2962_06
2N6975
2SB1435
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD425
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SD425
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-3
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SD425
TOSHIBA
24+
18650
TO-3
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SD425
TOSHIBA
1403+
100
TO-3
原装正品，支持实单
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SD425
TOSHIBA/东芝
24+
32000
TO-3
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SD425
TOSHIBA
21+
13410
TO-3
全新原装正品/质量有保证
绿盛电子(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2752732883 复制 点击这里给我发消息 QQ：240616963 复制

电话：18922887426/0755-25165869
联系人：曾先生/刘小姐
地址：深圳福田区中航路华乐大厦625室
2SD425
TOS
24+
19889
TO-3（铁帽）
★原装现货,特价低卖!
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SD425
TOSHIBA
21+
9561
TO-3
全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SD425
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8359
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881239445 复制

电话：0755-83264115
联系人：朱生
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
2SD425
TOS
12+
10000
TO-3
全新原装，绝对正品，公司现货供应
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388357 复制
电话：0755-83035161
联系人：肖先生
地址：福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司）
2SD425
TOSH
76
原装正品！价格优势！
查询更多2SD425供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！