【晶体管2SD1328NPN硅外延平面型用于低电压输出放大静音用于DC-DC转换器0.65±0.152】,IC型号2SD1328S,2SD1328S PDF资料,2SD1328S经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SD1328

NPN硅外延平面型

用于低电压输出放大

静音

用于DC-DC转换器

0.65±0.15

2.8

–0.3

+0.2

+0.25

单位：mm

1.5

–0.05

0.65±0.15

特点

0.95

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

CBO

首席执行官

EBO

英镑

0.5

200

150

–55 ~ +150

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

JEDEC ： TO- 236

EIAJ ： SC- 59

迷你型包装

标记符号：

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

ON resistanse

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE*1

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

on*3

条件

= 25V ，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 2V ，我

= 0.5A

= 0.5A ，我

= 20mA下

= 0.5A ，我

= 50毫安

= 10V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

200

1.0

民

典型值

0-0.1

为0.1 0.3

0.4±0.2

0.8

参数

符号

评级

单位

+0.2

1.1

–0.1

最大

100

0.16

–0.06

绝对最大额定值

(Ta=25C)

+0.1

0.4

–0.05

+0.1

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

低导通电阻R

高盼着电流传输比H

2.9

–0.05

1.9±0.2

+0.2

0.95

1.45

单位

200

0.13

800

0.4

1.2

兆赫

脉冲测量

等级分类

秩

200 ~ 350

1DR

300 ~ 500

1DS

400 ~ 800

1DT

测量电路

=1mA

f=1kHz

V=0.3V

标记符号

!1000()

–V

晶体管

- TA

240

1.2

=4.0mA

200

1.0

Ta=25C

3.5mA

3.0mA

0.8

2.5mA

2.0mA

0.6

1.5mA

0.4

1.0mA

0.5mA

0.2

2SD1328

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=75C

25C

–25C

CE （ SAT ）

— I

=25

集电极耗散功率P

（ mW）的

160

120

80 100 120 140 160

集电极电流I

(A)

0.1

0.3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

— I

100

— I

=10

1200

=2V

400

— I

=10V

Ta=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

1000

过渡频率f

（兆赫）

0.3

25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=–25C

75C

正向电流传输比H

350

300

250

200

150

100

800

Ta=75C

600

25C

–25C

400

200

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

发射极电流I

(A)

— V

集电极输出电容C

（PF ）

Ta=25C

f=1MHz

100

集电极基极电压V

(V)

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对人体的危害。

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妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

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2001年MAR