INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1185
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
高
高速开关
应用
“权力
切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
参数
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1200
800
6
5
7
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
50
150
-45~150
