INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1185
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安，我
C
=0
6
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安; R
BE
=∞
800
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1200V ;
BE
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
开关时间
t
f
固电
下降时间
t
s
贮存时间
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
ON
MIC
E
OR
DUT
10
30
1.0
μs
1.0
μs
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
=-2A
2
