SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SC2556
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2556A
2SC2556
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
2SC2556A
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CB
= 120V ;我
E
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=0.5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
条件
2SC2556 2SC2556A
符号
民
40
典型值。
最大
单位
V
50
130
V
180
5
0.5
0.1
150
150
30
200
pF
兆赫
350
V
V
A
2
