INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC2556 2SC2556A
民
典型值。
最大
单位
2SC2556
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 2毫安，我
B
=0
40
V
50
2SC2556
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 10μA ;我
E
=0
130
V
180
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μA ;我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
0.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=0.5V
150
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
150
输出电容
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
跃迁频率
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
OR
CT
U
350
30
200
0.1
pF
兆赫
2
