SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ，R
BE
=?
I
C
= -5mA ，我
E
=0
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-3V
V
CE
= -5V ，我
C
=-2.5A
1500
20
民
-100
-110
典型值。
2SB885
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BE坐
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
最大
单位
V
V
-1.5
-2.0
-0.1
-3.0
V
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
I
C
= -2A ; V
CC
=-50V
I
B1
=-I
B2
=-4mA;R
L
=25E
0.7
1.3
1.5
s
s
s
2
