INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1383
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 2000 （最小） @我
C
= -12A ，V
CE
= -4V
高
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -120V （最小值）
.Complement
到类型2SD2083
应用
·设计
于电磁，电机和通用的驱动程序
各种类型的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-120
V
-120
V
-6
V
-25
A
-40
A
-2
A
120
W
℃
℃
I
C
I
CM
集电极电流连续
集电极电流峰值
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
P
C
T
j
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站： www.iscsemi.cn
