INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= -25mA ，我
B
= 0
B
2SB1383
民
-120
典型值。
最大
单位
V
I
C
= -12A ，我
B
= -24mA
I
C
= -12A ，我
B
= -24mA
V
CB
= -120V ，我
E
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
I
C
= -12A ; V
CE
= -4V
-1.8
-2.5
-10
-10
V
V
μA
mA
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
I
E
= 1A ; V
CE
= -12V
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
.CN
i
2000
230
50
pF
兆赫
1.0
3.0
1.0
μs
μs
μs
I
C
= -12A ，我
B1
= -I
B2
= -24mA ;
V
CC
= -24V,
R
L
= 2Ω
ISC的网站： www.iscsemi.cn
