SMD型
N沟道Enhanceent模式
场效应晶体管
2N7002E
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
+0.1
1.3
-0.1
低导通电阻，R
DS （ ON）
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
R
GS
1.0 m
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
R
JA
等级
60
60
20
40
240
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
W
栅源电压-Continuous
脉冲
漏电流 - 连续
功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
零栅压漏电流@ T
C
= 25
@ T
C
= 125
门体漏
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻@ TJ = 25
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，R
L
= 150
= 10V ，R
根
= 25
,V
根
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
GS
=
15V, V
DS
= 0V
1.0
1.6
2.0
0.8
80
22
11
2.0
7.0
11
50
25
5.0
20
20
1.0
符号
V
DSS
I
DSS
Testconditons
V
GS
= 0V时，我
D
= 10
A
民
60
典型值
70
1.0
500
10
2.5
3
4
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
nA
V
最大
单位
V
A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
记号
记号
K7B
0-0.1
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