INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6676
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6677
2N6678
V
CESAT
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6676 2N6677 2N6678
条件
民
300
350
400
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
1.0
2.0
15
8
50
V
V
mA
mA
V
CE
= RatedV
CEV
;V
BE （OFF）的
=-1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 15A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ;V
CB
=10V;f=0.1MHz
电半
固
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
直流电流增益
导½
输出电容
跃迁频率
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
IN
ES
昂
CH
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=5.0MHz
ND
ICO
EM
OR
UCT
500
0.2
0.6
2.5
0.6
pF
兆赫
3
μs
μs
μs
μs
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3.0A
V
CC
= 200V ;吨
p
=20μs;
值班Cycle≤2.0 ％
V
BB
=6V,R
L
=1.35Ω
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
2
