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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第339页 > 2N6676
2N6676
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 300V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 15A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
300
15
单位
V
A
-
@ 3/15 (V
CE
/ I
C
)
8
15M
175
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2N6676
2N6677
2N6678
NPN硅
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央SEMICONDUCTOR 2N6676系列
类型NPN硅功率晶体管设计
高电压开关应用。
标记:全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值:
(TC=25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCEV
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ , TSTG
Θ
JC
2N6676
450
300
2N6677
550
350
8.0
15
20
5.0
175
-65到+200
1.0
2N6678
650
400
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
ICEV
VCE =额定VCEV , VBE (关闭) = 1.5V
ICEV
VCE =额定VCEV , VBE (关闭) = 1.5V , TC = 100℃
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
COB
ft
td
tr
ts
tf
VEB=8.0V
IC = 200毫安( 2N6676 )
IC = 200毫安( 2N6677 )
IC = 200毫安( 2N6678 )
IC = 15A , IB = 3.0A
IC = 15A , IB = 3.0A
VCE = 3.0V , IC = 15A
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 10V , IC = 1.0A , F = 5.0MHz
VCC = 200V , IC = 15A , IB1 = IB2 = 3.0A
TP = 20μS ,职务Cycle≤2.0 %
VBB≈6.0V ,RL = 13.5Ω
8.0
300
350
400
最大
100
1.0
2.0
单位
μA
mA
mA
V
V
V
1.5
1.5
500
3.0
10
0.1
0.6
2.5
0.5
V
V
pF
兆赫
μs
μs
μs
μs
R0 ( 2010年26月)
2N6676
2N6677
2N6678
NPN硅
功率晶体管
TO- 3 CASE - 机械概要
前导码:
1)基础
2 )辐射源
案例)集电极
标记:
全部型号
R0 ( 2010年26月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
电压能力
·快速
转换速度
ULOW
饱和电压
应用
专为高压开关
的应用,如
:
·离线
电源
-Converter
电路
*脉冲
脉宽调制调节器
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6676 2N6677 2N6678
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6676
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6677
2N6678
2N6676
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6677
2N6678
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
450
550
650
300
350
400
8
15
20
5
175
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6676
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6677
2N6678
V
CESAT
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6676 2N6677 2N6678
条件
300
350
400
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
1.0
2.0
15
8
500
3
50
V
V
mA
mA
V
CE
= RatedV
CEV
;V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 15A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ;V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=5.0MHz
pF
兆赫
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3.0A
V
CC
= 200V ;吨
p
=20μs;
值班Cycle≤2.0 %
V
BB
=6V,R
L
=1.35Ω
0.2
0.6
2.5
0.6
μs
μs
μs
μs
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6676 2N6677 2N6678
图2外形尺寸
3
技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百三十八分之一万九千五百
器件
2N6676
2N6678
2N6691
2N6693
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CEX
V
EBO
I
B
I
C
2N6676 2N6678
2N6691 2N6693
300
400
450
650
450
650
8.0
5.0
15
2N6676 2N6691
2N6678 2N6693
6.0
(2)
3.0
(3)
175
175
-65到+200
马克斯。
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
2N6676, 2N6678
TO-3 (TO- 204AA ) *
@ T
A
= 25
0
C
@ T
C
= 25
0
C
(1)
操作&存储结温范围
总功耗
P
T
T
OP ;
T
英镑
符号
R
θ
JC
W
W
0
C
单位
C / W
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额1.0 W /
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
2 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
3)
线性降额17.1毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
0
2N6691, 2N6693
TO-61*
*请参阅附录A套餐
概要
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 450 V ,V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 650伏,V
BE
= 1.5 VDC
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
V
( BR )
首席执行官
300
400
0.1
0.1
VDC
I
CEX
MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6676 , 2N6678 , 2N6691 , 2N6693 JAN系列
电气特性(续)
特征
发射基截止电流
V
EB
= 8.0伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 450 VDC
V
CB
= 650伏
符号
I
EBO
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
I
CBO
分钟。
马克斯。
2.0
1.0
1.0
单位
MADC
MADC
基本特征
(4)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ; V
CE
= 3.0伏
I
C
15 = ADC ; V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
15 = ADC ;我
B
= 3.0 ADC
基射极饱和电压
I
C
15 = ADC ;我
B
= 3.0 ADC
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
15
8.0
40
20
1.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ; V
CE
= 10 VDC , F = 5兆赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ;我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
t
3.0
150
10
500
0.1
0.6
2.5
0.5
0.5
pF
s
s
s
s
s
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
d
r
t
s
t
f
t
c
t
见/ 538的19500 MIL -PRF-图3
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 15 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 30伏直流电,我
C
= 5.9 ADC
2N6676, 2N6678
测试3
V
CE
= 100伏,我
C
= 0.25 ADC
所有类型
测试4
V
CE
= 25伏直流,我
C
= 7.0 ADC
2N6691, 2N6693
测试5
V
CE
= 300伏,我
C
= 20 MADC
2N6676, 2N6691
V
CE
= 400 VDC ,我
C
= 10 MADC
2N6678, 2N6693
钳位开关
T
A
= 25
0
C;
V
CC
± 15 VDC
I
C
15 = ADC ;钳位电压= 350伏
2N6676, 2N6691
I
C
15 = ADC ;钳位电压= 450伏
2N6678, 2N6693
( 4 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百三十八分之一万九千五百
器件
2N6676
2N6678
2N6691
2N6693
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CEX
V
EBO
I
B
I
C
2N6676 2N6678
2N6691 2N6693
300
400
450
650
450
650
8.0
5.0
15
2N6676 2N6691
2N6678 2N6693
6.0
(2)
3.0
(3)
175
175
-65到+200
马克斯。
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
2N6676, 2N6678
TO-3 (TO- 204AA ) *
@ T
A
= 25
0
C
@ T
C
= 25
0
C
(1)
操作&存储结温范围
总功耗
P
T
T
OP ;
T
英镑
符号
R
θ
JC
W
W
0
C
单位
C / W
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额1.0 W /
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
2 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
3)
线性降额17.1毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
0
2N6691, 2N6693
TO-61*
*请参阅附录A套餐
概要
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 450 V ,V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 650伏,V
BE
= 1.5 VDC
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
V
( BR )
首席执行官
300
400
0.1
0.1
VDC
I
CEX
MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N6676 , 2N6678 , 2N6691 , 2N6693 JAN系列
电气特性(续)
特征
发射基截止电流
V
EB
= 8.0伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 450 VDC
V
CB
= 650伏
符号
I
EBO
2N6676, 2N6691
2N6678, 2N6693
I
CBO
分钟。
马克斯。
2.0
1.0
1.0
单位
MADC
MADC
基本特征
(4)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ; V
CE
= 3.0伏
I
C
15 = ADC ; V
CE
= 3.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
15 = ADC ;我
B
= 3.0 ADC
基射极饱和电压
I
C
15 = ADC ;我
B
= 3.0 ADC
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
15
8.0
40
20
1.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ; V
CE
= 10 VDC , F = 5兆赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ;我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
t
3.0
150
10
500
0.1
0.6
2.5
0.5
0.5
pF
s
s
s
s
s
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
d
r
t
s
t
f
t
c
t
见/ 538的19500 MIL -PRF-图3
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 15 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 30伏直流电,我
C
= 5.9 ADC
2N6676, 2N6678
测试3
V
CE
= 100伏,我
C
= 0.25 ADC
所有类型
测试4
V
CE
= 25伏直流,我
C
= 7.0 ADC
2N6691, 2N6693
测试5
V
CE
= 300伏,我
C
= 20 MADC
2N6676, 2N6691
V
CE
= 400 VDC ,我
C
= 10 MADC
2N6678, 2N6693
钳位开关
T
A
= 25
0
C;
V
CC
± 15 VDC
I
C
15 = ADC ;钳位电压= 350伏
2N6676, 2N6691
I
C
15 = ADC ;钳位电压= 450伏
2N6678, 2N6693
( 4 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
博卡半导体公司
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高电压能力
·快速开关速度
·低饱和电压
应用
专为高压开关
的应用,如
:
·离线式电源供应器
·转换器电路
·脉冲宽度调制调节器
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6676 2N6677 2N6678
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
参数
2N6676
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6677
2N6678
2N6676
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6677
2N6678
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
450
550
650
300
350
400
8
15
20
5
175
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6676
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6677
2N6678
V
CESAT
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
符号
2N6676 2N6677 2N6678
条件
300
350
400
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
1.0
2.0
15
8
500
3
50
V
V
mA
mA
V
CE
= RatedV
CEV
;V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=100
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 15A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ;V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=5.0MHz
pF
兆赫
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3.0A
V
CC
= 200V ;吨
p
=20s;
值班CycleB2.0 %
V
BB
=6V,R
L
=1.35E
0.2
0.6
2.5
0.6
s
s
s
s
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.0
单位
/W
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6676 2N6677 2N6678
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
电压能力
·快速
转换速度
ULOW
饱和电压
应用
专为高压开关
的应用,如
:
·离线
电源
-Converter
电路
*脉冲
脉宽调制调节器
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6676 2N6677 2N6678
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
固电
IN
集热器
导½
参数
2N6676
2N6677
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
CH
2N6678
2N6676
2N6677
2N6678
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
450
550
650
300
单位
发射极开路
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
350
400
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
8
15
20
5
V
A
A
A
W
T
c
=25℃
175
200
-65~200
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6676
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6677
2N6678
V
CESAT
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6676 2N6677 2N6678
条件
300
350
400
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
1.0
2.0
15
8
50
V
V
mA
mA
V
CE
= RatedV
CEV
;V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 15A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ;V
CB
=10V;f=0.1MHz
电半
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
直流电流增益
导½
输出电容
跃迁频率
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
IN
ES
CH
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=5.0MHz
ND
ICO
EM
OR
UCT
500
0.2
0.6
2.5
0.6
pF
兆赫
3
μs
μs
μs
μs
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3.0A
V
CC
= 200V ;吨
p
=20μs;
值班Cycle≤2.0 %
V
BB
=6V,R
L
=1.35Ω
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6676 2N6677 2N6678
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
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