INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6436
V
（ SUS ） CEO
集电极 - 发射极
维持电压
2N6437
2N6438
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE SAT- 1
V
BE SAT- 2
I
CEX
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
I
C
= -10A ;我
B
=-1.0A
I
C
= -25A ;我
B
=-2.5A
I
C
= -10A ;我
B
=-1.0A
I
C
= -25A ;我
B
=-2.5A
I
C
= -50mA ;我
B
=0
2N6436 2N6437 2N6438
条件
民
-80
-100
-120
典型值。
最大
单位
V
-1.0
-1.8
-1.8
-2.5
-10
-1.0
V
V
V
V
μA
mA
μA
固电
IN
集电极截止电流
导½
半
2N6436
2N6437
2N6438
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
EB
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CB
=额定V
CB
; I
E
=0
V
CE
= -40V ，我
B
=0
V
CE
= - 50V ，我
B
=0
V
CE
= -60V ，我
B
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
30
20
12
I
首席执行官
集热器
截止电流
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
ES
昂
CH
ICO
EM
OR
UCT
ND
-10
-50
-100
μA
μA
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -10A ; V
CE
=-2V
I
C
= -25A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V;f=10MHz
120
700
40
pF
兆赫
2
