【博卡半导体公司BSChttp://www.bocasemi.com】,IC型号2N6436,2N6436 PDF资料,2N6436经销商,ic,电子元器件-51电子网

博卡半导体公司

BSC

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A

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A

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·快速

开关时间

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2N6338 2N6341

应用

For

在工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

固电

IN

导½

半

2N6436

2N6437

2N6438

2N6436

2N6437

2N6438

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

-6

-25

-50

-10

V

A

W

℃

T

C

=25℃

200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

V

μA

mA

μA

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

2N6436

2N6437

2N6438

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

30

20

12

I

首席执行官

集热器

截止电流

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

ES

昂

CH

ICO

EM

OR

UCT

ND

-10

-50

-100

μA

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

120

700

40

pF

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·高直流电流增益

·快速开关时间

·低集电极饱和电压

·补充输入2N6338 2N6341

应用

·对于工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

F

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2N6436

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6437

2N6438

2N6436

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6437

2N6438

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

-6

-25

-50

-10

200

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

2N6436

I

首席执行官

集热器

截止电流

2N6437

2N6438

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

符号

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

-10

V

A

mA

A

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

40

30

20

12

-50

A

-100

A

120

700

pF

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·快速

开关时间

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2N6338 2N6341

应用

For

在工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6436

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6437

2N6438

2N6436

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6437

2N6438

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

-6

-25

-50

-10

200

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

2N6436

I

首席执行官

集热器

截止电流

2N6437

2N6438

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

-10

V

μA

mA

μA

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

40

30

20

12

-50

μA

-100

μA

120

700

pF

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

图2外形尺寸

3

2N6436

2N6437

2N6438

机械数据

尺寸mm （英寸）

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

大功率PNP

硅晶体管

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

1

2

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

描述

设计用于工业用途 - 军用

功率放大器和开关电路

应用

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

TO- 3封装（ TO- 204AA ）

引脚1 - 基地

PIN 2 - 发射极

案例 - 集电极

22.23

(0.875)

马克斯。

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

CB

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

V

EB

I

C

I

B

P

D

T

英镑，

T

j

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

PEAK

基极电流

在T器件总功耗

例

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

2N6436

100

80

2N6437

120

100

6.0V

25A

50A

10A

140W

0.8W/°C

2N6438

140

120

-65到+ 200℃

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号3252

问题3

2N6436

2N6437

2N6438

热数据

R

THJ情况

热阻结案件

最大

1.25

° C / W

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

I

CBO

I

EBO

收藏家切断电流

发射器切断电流

测试条件

V

CB

= 100V我

E

= 0

V

CB

= 120V我

E

= 0

V

CB

= 140V我

E

= 0

V

EB

= 6V

V

CE

= 90V

V

CE

= 110V

V

CE

= 130V

V

CE

= 40V我

B

= 0

I

C

= 0

2N6436

2N6437

2N6438

分钟。

典型值。

MAX 。 UNIT

10

100

10

1.0

10

1.0

10

1.0

50

A

mA

A

mA

A

mA

A

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

I

CEX

收藏家切断电流

2N6437

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

2N6436

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

2N6436

2N6437

2N6438

2N6436

I

首席执行官

收藏家切断电流

V

CE

= 50V我

B

= 0

V

CE

= 60V我

B

= 0.

80

100

120

30

20

12

1.0

1.8

2.5

40

700

0.3

1.0

0.25

μs

兆赫

pF

V

120

—

V

（ BR ） CEO *

集电极发射极击穿电压

I

C

= 50毫安

V

CE

=2.0V

I

B

= 0

2N6437

2N6438

I

C

= 0.5A

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

B

= 1.0A

I

B

= 2.5A

I

B

= 1.0AV

I

B

= 2.5A

V

CE

= 10V

f

TEST

= 10MHz时

V

CE

= 10V

F = 100KHz的

I

C

= 10A

I

C

= 10A

h

FE *

直流电流增益

V

CE

= 2.0V

V

CE

= 2.0V

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

C

= 1.0A

I

E

= 0A

V

CC

= 80V

V

CC

= 80V

V

CE （SAT） *

V

BE （SAT） *

f

T

C

ob

t

r

t

s

t

f

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极饱和电压

电流增益 - 带宽积

输出电容

上升时间

存储

下降时间

V

BE （OFF）的

= 6.0V我

B1

= 1.0A

V

BE （OFF）的

= 6.0V我

B1

= I

B2

=1.0A

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号3252

问题3