SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6317
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N6318
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4 A
I
C
= -7A ;我
B
=-1.75A
I
C
= -7A ;我
B
=-1.75A
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-4V
2N6317
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6318
2N6317
I
CBO
集电极截止电流
2N6318
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= -80V ;我
E
=0
V
CE
=额定V
CE
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -7A ; V
CE
=-4V
I
C
=-0.25A;V
CE
=-10V;f=1.0MHz
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
条件
2N6317 2N6318
符号
民
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-1.0
-2.0
-2.5
-1.5
V
V
V
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
-0.5
mA
-0.25
mA
-0.25
-2.0
-1.0
35
20
4
4
100
mA
mA
兆赫
2
