【功率晶体管TO- 66案例型号NPN2N30542N3054A2N35832N35842N35852】,IC型号2N6318,2N6318 PDF资料,2N6318经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

TO- 66案例

型号

NPN

2N3054

2N3054A

2N3583

2N3584

2N3585

2N3738

2N3739

PNP

2N6049

2N6420

2N6421

2N6422

IC

(A)

最大

4.0

2.0

1.0

4.0

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

2.0

1.0

7.0

1.0

4.0

3.0

4.0

8.0

7.0

6.0

1.0

4.0

3.0

PD

(W)

25

75

35

20

25

20

35

75

35

75

35

75

35

20

25

40

35

29

50

20

50

75

90

40

20

40

29

25

BVCBO

(V)

民

90

250

375

500

250

325

60

80

100

50

40

70

60

90

80

500

350

500

40

60

80

100

275

350

400

50

90

140

60

80

60

80

60

80

90

70

50

250

325

110

130

60

160

BVCEO

(V)

民

55

175

250

300

225

300

60

80

60

80

40

60

80

300

250

350

40

60

80

100

225

300

350

40

80

120

60

80

60

80

60

80

60

40

225

300

100

120

60

120

的hFE

民

25

40

30

40

25

40

50

25

50

20

30

60

30

60

10

20

25

20

750

20

40

15

20

25

最大

150

- -

200

150

160

100

- -

150

75

150

120

240

120

240

100

150

18,000

100

200

150

120

150

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

(A)

最大

0.5

0.1

0.25

0.5

1.5

0.1

0.05

0.5

2.0

1.0

1.5

0.5

2.0

4.0

2.5

2.0

2.5

3.0

0.1

1.5

1.0

0.5

1.0

0.5

5.0

0.75

2.5

0.6

1.0

2.0

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

1.0

0.9

0.75

0.6

0.7

1.4

1.6

2.0

1.5

0.5

1.2

2.0

1.0

2.5

1.2

1.0

0.5

1.0

0.25

1.0

0.5

3.0

5.0

3.0

5.0

3.0

5.0

0.75

0.05

1.0

2.0

0.125

1.5

0.5

2.0

4.0

2.0

2.5

3.0

0.25

1.5

0.5

fT

（兆赫）

民

0.8

10

3.0

10

4.0

15

20

3.0

30

20

0.8

4.0

10

5.0

0.75

0.2

2N3740

2N3740A

2N3741

2N3741A

2N3766

2N3767

2N4231

2N4231A

2N4232

2N4232A

2N4233

2N4233A

2N4240

2N4296

2N4298

2N4299

2N4910

2N4911

2N4912

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

2N6312

2N6313

2N6314

2N6423

2N4898

2N4899

2N4900

2N6211

2N6212

2N6213

2N6260

2N6261

2N6263

2N6294

2N6295

2N6300

2N6301

2N6315

2N6316

2N6372

2N6373

2N6374

2N6465

2N6466

40312

CM3441

2N6296

2N6297

2N6298

2N6299

2N6317

2N6318

2N5954

2N5955

2N5956

2N6424

2N6425

2N6467

2N6468

86

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

博卡半导体公司（ BSC ）

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 66封装

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2N6315 / 6316

应用

·设计

对于通用电源

放大器和开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6317 2N6318

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6317

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6318

2N6317

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6318

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

-80

-5

-7

-15

-2

90

150

-65~200

V

A

W

℃

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.94

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6317

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6318

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

2N6317

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6318

2N6317

I

CBO

集电极截止电流

2N6318

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

f

T

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

CE

=额定V

CE

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -2.5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -7A ; V

CE

=-4V

I

C

=-0.25A;V

CE

=-10V;f=1.0MHz

V

CE

= -40V ;我

B

=0

V

CB

= -60V ;我

E

=0

I

C

= -4A ;我

B

=-0.4 A

I

C

= -7A ;我

B

=-1.75A

I

C

= -7A ;我

B

=-1.75A

I

C

= -2.5A ; V

CE

=-4V

V

CE

= -30V ;我

B

=0

I

C

= -0.1A ;我

B

=0

条件

2N6317 2N6318

民

-60

典型值。

最大

单位

V

-80

-1.0

-2.0

-2.5

-1.5

V

-0.5

mA

-0.25

mA

-0.25

-2.0

-1.0

35

20

4

100

mA

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6317 2N6318

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 66封装

·低集电极饱和电压

·补键入2N6315 / 6316

应用

·专为通用电源

放大器和开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6317 2N6318

Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

参数

2N6317

集电极 - 基极电压

2N6318

2N6317

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2N6318

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

-80

-5

-7

-15

-2

90

150

-65~200

V

A

W

发射极开路

-80

-60

V

条件

价值

-60

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.94

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6317

I

C

= -0.1A ;我

B

=0

2N6318

I

C

= -4A ;我

B

=-0.4 A

I

C

= -7A ;我

B

=-1.75A

I

C

= -7A ;我

B

=-1.75A

I

C

= -2.5A ; V

CE

=-4V

2N6317

I

首席执行官

集电极截止电流

2N6318

2N6317

I

CBO

集电极截止电流

2N6318

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

f

T

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

V

CB

= -80V ;我

E

=0

V

CE

=额定V

CE

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -2.5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -7A ; V

CE

=-4V

I

C

=-0.25A;V

CE

=-10V;f=1.0MHz

V

CE

= -40V ;我

B

=0

V

CB

= -60V ;我

E

=0

V

CE

= -30V ;我

B

=0

条件

2N6317 2N6318

符号

民

-60

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

-80

-1.0

-2.0

-2.5

-1.5

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

-0.5

mA

-0.25

mA

-0.25

-2.0

-1.0

35

20

4

100

mA

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6317 2N6318

图2外形尺寸

3

2N6315

2N6317

2N6316

2N6318

NPN

PNP

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

其他芯片

功率晶体管

描述：

中央SEMICONDUCTOR 2N6315系列

类型是互补硅功率晶体管，

安装在一个密封的金属盒，

专为通用放大器和开关

应用程序。

标记：全部型号

TO- 66案例

最大额定值：

(TC=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

连续基极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

IB

PD

TJ ， TSTG

Θ

JC

2N6315

2N6317

60

5.0

7.0

15

2.0

90

-65到+200

1.95

2N6316

2N6318

80

单位

V

A

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

ICBO

VCB =额定VCBO

ICEV

VCE =额定VCEO ， VBE = 1.5V

ICEV

ICEO

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

fT

VCE =额定VCEO ， VBE = 1.5V ， TC = 150℃

VCE = 1/ 2额定VCEO

VEB=5.0V

IC = 100mA时（ 2N6315 ， 2N6317 ）

IC = 100mA时（ 2N6316 ， 2N6318 ）

IC = 4.0A ， IB = 0.4A

IC = 7.0A ， IB = 1.75A

VCE = 4.0V ， IC = 2.5A

VCE = 4.0V ， IC = 0.5A

VCE = 4.0V ， IC = 2.5A

VCE = 4.0V ， IC = 7.0A

VCE = 4.0V ， IC = 500毫安， F = 1.0kHz

VCE = 10V ， IC = 250毫安中，f = 1.0MHz的

35

20

4.0

20

4.0

60

80

最大

0.25

2.0

0.50

1.0

单位

mA

V

1.0

2.0

2.5

1.5

100

V

兆赫

R2 （ 2011年6月）

2N6315

2N6317

2N6316

2N6318

NPN

PNP

其他芯片

功率晶体管

电气特性 - 续：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

最大

COB

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的，（ 2N6315 ， 2N6316 ）

200

COB

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的，（ 2N6317 ， 2N6318 ）

300

tr

花花公子

VCC = 30V ， IC = 2.5A IB1 = IB2 = 0.25A

0.7

1.8

单位

pF

s

TO- 66案例 - 机械外形

标记：

全部型号

R2 （ 2011年6月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N6316

2N6318

机械数据

尺寸mm （英寸）

其他芯片

中功率晶体管

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

（ 0.145 ）弧度。

马克斯。

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

弧度。

14.48 (0.570)

14.99 (0.590)

11.94 (0.470)

12.70 (0.500)

24.13 (0.95)

24.63 (0.97)

1

2

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

互补晶体管

2N6316 （ NPN ）和2N6318 （ PNP ）

特点

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

分钟。

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

低集电极发射极饱和电压

低漏电流

优异的直流电流增益

TO- 66 （ TO- 213AA ）

引脚1 =基本

2脚发射极

案例 - 集电极

应用范围：

专为通用放大器

和切换应用程序。

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C除非另有说明）

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

英镑

, T

J

R

θJC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

80V

5V

7A

15A

2A

90W

0.515W/°C

-65到+ 200℃

1.94°C/W

连续

PEAK

基极电流

总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温范围

热电阻 - 结 - 壳

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号5354

第1期

2N6316

2N6318

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

V

CEO （ SUS ）

I

首席执行官

I

CEX

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极可持续

电压*

集电极截止电流

发射极截止电流

基本特征

*

V

CE

= 4V

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压

基地 - 发射极饱和电压

基地 - 发射极电压上

动态特性

C

ob

输出电容

V

CB

= 10V

F = 1MHz的

V

CE

= 10V

fT

h

fe

电流增益 - 带宽积

小信号电流增益

动态特性

tr

ts

tf

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 30V

I

C

= 2.5A

I

B1

= I

B

=0.25A

0.7

1.0

0.8

S

I

C

= 0.25A

F = 1MHz的

V

CE

= 4V

F = 1kHz时

I

C

= 0.5A

20

—

4.0

兆赫

I

E

= 0

300

pF

V

CE

= 4V

V

CE

= 4V

I

C

= 4A

I

C

= 7A

I

C

= 7A

V

CE

= 4V

I

C

= 0.5A

I

C

= 2.5A

I

C

= 7.0A

I

B

= 0.4A

I

B

= 1.75A

I

B

= 1.75A

I

C

= 2.5A

35

20

4

1.0

2.0

2.5

1.5

V

100

—

I

C

= 100毫安

V

CE

= 40V

V

CE

= 80V

V

CB

= 80V

V

EB

= 5V

I

B

= 0

I

B

= 0

V

BE （OFF）的

= 1.5V

T

C

= 150°C

I

E

= 0

I

C

= 0

80

0.5

0.25

2.0

0.25

1.0

mA

V

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

笔记

*脉冲测试： T = 300μS ，占空比= 2 ％

p

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文档编号5354

第1期