SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N5629 2N5630
·高功率耗散
应用
·对于高电压和高功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6029 2N6030
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
参数
2N6029
集电极 - 基极电压
2N6030
2N6029
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6030
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-120
-7
-16
-20
-5.0
200
200
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
