1N5820 1N5822直通

威世通用半导体

1000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

100

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

100

结电容（pF ）

10

100

1

10

0.1

1

10

0.1

0

0.1

1

10

100

反向

电压

(V)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图5.典型结电容

图6.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO-201AD

1.0 (25.4)

分钟。

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA 。

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

分钟。

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

DIA 。

文档编号： 88526

修订： 20 - 8 - 07

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