添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第733页 > 1N5822
肖特基势垒整流器
1N5820 1N5822直通
特点
电压范围
当前
20至40伏特
3.0安培
DO-27
快速开关
低正向电压，高电流能力
低功耗，高效率
高电流浪涌能力
高温焊接保证：
250 ℃ / 10秒0.373 “设计（9.5mm ）引线长度
5磅（ 2.3公斤）张力
机械数据
案例：转移成型塑料
环氧树脂： UL94V- 0率阻燃
极性：色环表示阴极结束
铅：镀轴向引线，每MIL -STD- 202E焊
方法208C
安装位置：任意
重量： 0.042盎司， 1.19克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级
单相半波， 60HZ，电阻或电感性负载
对于容性负载电流20％
符号
1N5820
最大重复峰值反向电压
V
RRM
20
最大RMS电压
V
RMS
14
最大直流阻断电压
V
DC
20
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
=95℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
3.0A
最大正向
电压（注1）
9.4A
T
A
= 25℃
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC （注1 ）T = 100 ℃
A
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
操作和存储温度范围
1N5821
30
21
30
3.0
80
1N5822
40
28
40
单位
伏
伏
伏
安培
安培
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJL
T
J
.T
英镑
0.475
0.850
0.500
0.900
0.5
20
250
15
（ -55 + 125 ）
0.525
0.950
伏
mA
pF
℃
/W
℃
注意事项：
1.脉冲测试300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
2.测得1.0MHz和应用4.0伏特的反向电压
从结点到环境PCB .mounted 0.375 “设计（9.5mm ）导线长度2.5 ” 3.热阻× 2.5 “
（63.5×63.5mm）copper
PADS
电子信箱：
sales@cnmic.com
网站： www.cnmic.com
肖特基势垒整流器
1N5820 1N5822直通
电压范围
当前
20至40伏特
3.0安培
额定值和CHRACTERISTIC曲线1N5820 THRU 1N5822
图1 - 典型正向电流
降额曲线
平均正向电流，
(A)
3.0
100
图2 -最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）T
j
=T
JMAX
2.0
电流（ A）
50
1.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
0.375“设计（9.5mm ）引线长度
1周
0
0
20
40
60
80
95100
120
140
10
0.1
10
100
环境温度（ ° C）
图3 - 典型瞬时
正向特性
100
循环次数在60赫兹
图4 ，典型的反向
特征
瞬时反向电流，
（MA ）
10
瞬时正向电流，
T
J
=125° C
10
T
J
=125° C
(A)
中T = 25℃
1.0
1.0
T
J
=75° C
脉冲宽度= 300μS
占空比1 ％
T
J
=25° C
0.1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压（ V）
额定峰值百分比
反向电压， （％）
图5 - 典型结电容
1000
结电容（PF ）
100
T
J
=25° C
f=1MHz
Vsig=50mV
10
0.1
1.0
10
100
反向电压， （V）的
电子信箱：
sales@cnmic.com
网站： www.cnmic.com
CYStech电子股份有限公司
3.0Amp 。轴向引线肖特基势垒二极管
规格。编号： C330LA
发行日期： 2003年4月16日
修订日期：
页页次： 1/3
1N582XLA系列
特点
适用于低电压，高频率逆变器，续流和极性保护应用
采用塑料材料进行保险商实验室可燃性分类94V- 0
低漏电流
高浪涌能力
高温焊接： 250C / 10秒码头
高可靠性
机械数据
案例： DO- 201AD模压塑料。
终端：轴向引线，每MIL -STD- 202方法208
极性：由阴极频带指示。
重量： 1.10克
最大额定值和电气特性
(
评分在25 ° C环境温度，除非另有说明。单相半波， 60赫兹，电阻或
感性负载。 ）
参数
条件
TYPE
符号
1N5820 1N5821 1N5822
单位
民
反向重复峰值
电压
最大RMS电压
最大直流阻断
电压
最大瞬时
I
F
=3A
（注1 ）
正向电压
最大正向平均
整流电流
8.3ms单半正弦波叠加
峰值正向浪涌电流
在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
R
=V
RRM
,T
A
=25
℃
（注1 ）
最大直流反接
当前
V
R
=V
RRM
,T
A
=125
℃
（注1 ）
最大热
结到环境
（注2 ）
阻力
二极管的结电容F = 1MHz至4V加反向电压
储存温度
工作温度
备注： 1.Pulse试验，脉冲宽度= 300μsec ， 2 ％占空比
典型值
30
21
30
0.500
3
80
2
20
40
250
-65~+125
-65~+125
最大
40
28
40
0.525
V
V
V
V
A
A
mA
mA
℃
/w
pF
℃
℃
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
I
R
R
th
,
JA
C
J
TSTG
T
J
20
14
20
0.475
1N582XLA
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
正向电流降额曲线
规格。编号： C330LA
发行日期： 2003年4月16日
修订日期：
页页次： 2/3
最大非重复正向浪涌电流
90
峰值正向浪涌电流--- IFSM （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
TJ = 25 ℃ ， 8.3ms单
半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流--- IO（ A）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
50
100
150
环境温度--- TA （ ℃ ）
转发电流与正向电压
100
结电容--- CJ （PF ）
循环次数在60Hz
结电容VS反向电压
700
600
500
400
300
200
100
0
0.01
正向电流 - 如果（ A）
10
TJ = 25 ℃，脉搏
width=300μs
1 ％占空比
1
0.1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0.1
1
10
100
正向电压VF --- （V ）
反向电压VR --- （V ）
反向漏电流与反向电压
100
反向漏电流IR --- （MA ）
10
1
Tj=75℃
0.1
Tj=25℃
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
反向电压VR --- （V ）
1N582XLA
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
DO- 201外形尺寸
规格。编号： C330LA
发行日期： 2003年4月16日
修订日期：
页页次： 3/3
打标：在圆柱面
1N582X
E
A
B
C
D
DO- 201模压塑料封装
CYStek包装代码： LA
* ：典型
暗淡
A
B
C
英寸
分钟。
马克斯。
0.0472 0.0512
1.0000
-
0.2835 0.3740
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.20
1.30
25.40
-
7.20
9.50
暗淡
D
E
英寸
分钟。
马克斯。
1.0000
-
0.1890 0.2087
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
25.40
-
4.80
5.30
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
铅：轴向引线，每MIL -STD- 202方法208保证焊。
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
1N582XLA
CYStek产品规格
1N5820-1N5822
1N5820 - 1N5822
特点
在T 3.0安培操作
A
= 95°C
无热失控。
为了在低电压，高
变频器免费
续流和极性
保护应用。
DO-201AD
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1N5820
最高重复反向电压
平均正向电流整流
3/8 "引线长度@ T
A
= 95°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
价值
1N5821
30
3.0
80
-65到+125
-65到+125
1N5822
40
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
3.6
28
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
I
R
C
T
正向电压
反向电流@额定V
R
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1N5820
@ 3.0 A
@ 9.4 A
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
475
850
设备
1N5821
500
900
0.5
20
190
1N5822
525
950
单位
mV
mV
mA
mA
pF
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5820-1N5822 ，版本C
1N5820-1N5822
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
4
20
10
正向电流I
F
[A]
T
J
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
1N5820
1N5822
3
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" 9.5毫米LEAD
长度
1N5821
2
1
1
0
0
20
40
60
80
100
铅温度（C）
120
140
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压，V
F
[V]
0.8
0.9
图1.正向电流降额曲线
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
100
1N5820
T
J
= 125
C
1N5822
1N5821
T
J
= 75
C
反向电流，I
R
[马]
10
1
T
J
= 25
C
0.1
0.01
5
10
15
20
25
30
EVERSE电压，V
R
[V]
35
40
图3.不重复浪涌电流
图4.反向电流与反向电压
总电容，C
T
[ pF的]
1000
800
600
400
200
100
80
60
40
20
10
0.1
0.4
1
4
10
反向电压， V
R
[V]
40
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5820-1N5822 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
思雨
R
1N5820/1N5821/1N5822
塑料肖特基
垒整流器器
特征
特点
塑封肖特基二极管
DO-27
·大电流承受½力。High
电流能力
·正向压降½。Low
正向电压降
.052(1.3)
迪亚
.048(1.2)
1.0(25.4)
民
·高温焊接保证
高温焊接保证：
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
迪亚
.197(5.0)
1.0(25.4)
民
260℃/10
秒,
0.375"设计（9.5mm ）引线长度。
260 ℃ / 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5磅。 （ 2.3千克）张力
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
铅和符合RoHS规范体
机械数据
机械数据
·端子: 镀锡½向引线
端子：镀轴向引线
·极性: 色环端为负极
极性：颜色频带端为负极
·安装½½: 任意 Mounting Position: Any
单位：英寸（毫米）
极限值和电参数
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&电气特性
符号
符号
最大峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
1N5820
1N5821
1N5822
单½
单位
V
RRM
V
R（ RMS ）
V
DC
I
FM
V
F
I
FSM
IR
R
θJA
Cj
TJ ，T
英镑
20
14
20
30
21
30
3.0
40
28
40
V
V
V
A
最大反向有效值电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
最大正向电压降
最大正向电压
IF = 3.0A
0.475
0.500
80
2.0
20
15
250
- 55 --- +150
0.525
V
A
mA
℃/W
pF
℃
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
最大反向漏电流
最大反向电流
TA = 25°
TA = 100 °
典型热阻
典型结电容
典型热阻
V
R
= 4.0V ， F = 1.0MHz的
典型结电容
工½温度和存储温度
工作结存储温度范围
大昌电子
大昌电子
思雨
R
特性曲线
特性曲线
正向特性曲线（典型值）
典型正向特性
1N5820/1N5821/1N5822
正向电流降额曲线
正向电流降额曲线
10mm
10mm
10
平均正向电流
I
F（ AV ）
(A)
正向平均整流电流（ A）
I
F（ A）
I
F
正向电流（A ）
1.2
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0
25
50
75 100 125 150 175
环境温度TA（ ° C）
TAMB，环境温度（ ℃）
2
1
1N5820
1N5822
1N5821
正向电流
I
F
(A)
0.2
TJ = 25 C
0.1
0.01
0.2
0.3
0.4
正向电压
0.5
V
F
(V)
0.6
0.7
V
F
正向电压（ V）
浪涌特性曲线（最大值）
最大不重复
峰值正向浪涌电流
100
I
FSM
峰值正向浪涌电流（ A）
80
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
60
40
20
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
在60赫兹的周期数。
大昌电子
大昌电子
1N5820 ... 1N5822
1N5820 ... 1N5822
肖特基势垒整流二极管
肖特基势垒Gleichrichterdioden
版本2010-06-01
额定电流
Nennstrom
4.5
+0.1
-
0.3
3A
20...40 V
DO- 201
1g
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
±0.5
TYPE
62.5
1.2
±0.05
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
1N5820
1N5821
1N5822
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
浪涌峰值反向电压
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
20
30
40
7.5
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V]
1
)
＆ LT ; 0.85
< 0.90
< 0.95
马克斯。正向平均整流电流， R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流， 50赫兹正弦半波
Stostrom献给EINE 50赫兹窦Halbwelle
额定值融合，T < 10毫秒
Grenzlastintegral ，T < 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
A
= 75°C
F > 15赫兹
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
3 A
1
)
15 A
2
)
150 A
110 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
T
j
T
S
1
1
I
F
= 9.4 A，T
j
= 25°C
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
1N5820 ... 1N5822
特征
漏电流
Sperrstrom
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到引线
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
THA
R
THL
Kennwerte
< 2毫安
< 20毫安
< 25 K / W
1
)
< 8 K / W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
1N5820
80
1
1N5821
60
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
1N5822
I
F
10
-2
T
j
= 25°C
0.2
V
F
0.6
0.8
[V]
1.2
额定正向电流与环境温度）的
1
祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。 ）
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
特点
1N5820
THRU
1N5822
3安培肖特基
垒整流器器
20 - 40伏
DO-201AD
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
低正向压降和高电流能力
高浪涌电流能力
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
最大热阻; 28
° C / W
结到环境
MCC
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
40V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
40V
D
1N5820
1N5821
1N5822
1N5820
1N5821
1N5822
14V
21V
28V
A
阴极
标志
B
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1N5820
1N5821
1N5822
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
I
F（ AV ）
I
FSM
3.0A
80A
T
A
= 85°C
8.3ms的，半正弦
D
C
V
F
.475V
.500V
.525V
0.5mA
20mA
200pF
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25°C
（注2 ）
暗淡
A
B
C
D
英寸
民
.287
.189
.048
1.000
尺寸
MM
民
7.30
4.80
1.20
25.40
I
R
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
在测
1.0MHz的，V
R
=4.0V
最大
.374
.208
.052
---
最大
9.50
5.30
1.30
---
记
C
J
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
2.Pulse测试：脉冲宽度300
微秒，
占空比1 ％
修订版：A
www.mccsemi.com
1 4
2011/01/01
1N5820 1N5822直通
图1
典型的正向特性
20
10
6
4
5
2
安培
1
.6
.4
.2
25°C
.1
.06
.04
.02
.01
.2
.4
.6
伏
1N5820
瞬时正向电流 - 安培
与
1N5821
正向电压 - 伏特
1N5822
.8
1.0
1.2
0
1
安培
2
4
6
MCC
微型商业组件
图2
远期降额曲线
TM
3
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
与
环境温度 -
°C
125
150
175
科幻gure 3
结电容
1000
600
400
200
pF
T
J
=25°C
100
60
40
20
10
.1
.2
.4
1
伏
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
结电容 - pF的
与
反向电压 - 伏特
修订版：A
www.mccsemi.com
2 4
2011/01/01
1N5820 1N5822直通
MCC
微型商业组件
图5
最大非重复正向浪涌电流
120
100
80
,
TM
图4
典型的反向特性
瞬时反向电流，毫安
10
T
J
= 1
00 C
O
1.0
0.1
T
J
= 7 C
5
O
60
安培
40
20
5
0
T
J
= 2 C
5
O
0.01
.001
1
20
40
60
80
100 120 140
2
4
6
8 10
20
40
60 80 100
百分之瞬时反向电压（ ％ ）
周期
峰值正向浪涌电流 - 安培
与
周期在60Hz数 - 周期
修订版：A
www.mccsemi.com
3 4
2011/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息：
设备
型号-TP
型号-AP
型号-BP
填料
Tape&Reel ：
1.2Kpcs/Reel
弹药包装：
1.2Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
12Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
1N5820~1N5822
肖特基势垒整流器器
电压
特点
1.0(25.4)MIN.
20至40伏特
当前
3.0安培
DO-201AD
单位：英寸（毫米）
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O利用
阻燃环氧模塑料。
超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准
对于使用低电压，高频率逆变器，免费
续流和极性保护应用。
.052(1.3)
.048(1.2)
.375(9.5)
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： DO - 201AD模压塑料
极性：颜色频带为负极
安装位置：任意
重量： 0.0395盎司， 1.122克
1.0(25.4)MIN.
.285(7.2)
终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法2026
.210(5.3)
.188(4.8)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " （ 9 5 M M ）
L E A D L E毫微吨小时的吨牛逼
L
= 9 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T第3 。 0
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A吨9 。 4将
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G （E T）
J
= 1 0 0
O
C
皮卡尔TY牛逼有源冰箱 esistance （N OTE 1 ）
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ A V ）
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J A
R
θ
1 J L
T
J
T
s TG
1 N5 8 2 0
20
14
20
1 N5 8 2 1
30
21
30
3
80
1 N5 8 2 2
40
28
40
加利它s
V
V
V
A
A
0 .4 7 5
0 .8 5 0
0 .5 0 0
0 .9 0 0
0 .2
20
40
10
0 .5 2 5
0 .9 5 0
V
mA
O
C / W
O
-5 5 1 2 5
-5 5 1 5 0
-5 5 1 5 0
C
C
O
注意事项：
1.测得的环境温度，从所述壳体的距离9.5毫米。
2.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比。
STAD-MAR.25.2009
PAGE 。 1
1N5820~1N5822
额定值和特性曲线
正向平均整流
安培电流
5.0
峰值正向浪涌电流，
安培
100
=20-30V
=40-60V
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
4.0
3.0
2.0
.375"9.5mm LEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVE LOAD
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
焊接温度，
O
C
FIG.1-正向电流降额曲线
NO 。周期在60Hz
Fig.2-最大 - 非重复浪涌电流
瞬时反向电流，毫安
10
50
正向电流
安培
T
J
= 1
00 C
O
T
J
= 25
O
C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
30V
1.0
10
20V
40V
0.1
T
J
= 7 C
5
O
1.0
T
J
= 2 C
5
O
0.01
.001
0.1
0
20
40
60
80
100 120 140
.2
.4
.6
.8
百分之瞬时反向电压（ ％ ）
正向电压，伏
FIG.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
STAD-MAR.25.2009
PAGE 。 2
1N5820 - 1N5822
3.0A肖特基二极管
特点和优点
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注1 ）
机械数据
案例： DO- 201AD
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 天。镀导致每MIL -STD-焊
202 ，方法208
极性：负极频带
标记：型号数量
重量： 1.1克（近似值）
订购信息
（注2 ）
设备
1N5820-B
1N5820-T
1N5821-B
1N5821-T
1N5822-B
1N5822-T
包装
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
航运
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC （注3 ）
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注4 ）
@ T
L
= 95°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
@ T
L
= 75°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
1N5820
20
14
1N5821
30
21
3.0
80
1N5822
40
28
单位
V
V
A
A
热特性
特征
典型热阻（注5 ）
工作和存储温度范围
符号
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J,
T
英镑
价值
40
10
-65到+150
单位
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC （注3 ）
注意事项：
符号
@ I
F
= 3.0A
@ I
F
= 9.4A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
V
FM
I
RM
1N5820
0.475
0.850
1N5821
0.500
0.900
2.0
20
1N5822
0.525
0.950
单位
V
mA
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。应用所有适用的RoHS指令的豁免，见欧盟指令2002/ 95 / EC附件的注意事项。
2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com 。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.测定在环境温度下，在从壳体的距离9.5毫米
从结点5热电阻引领垂直PCB安装， 0.500" （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5" （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫。
1N5820 - 1N5822
文件编号： DS23003牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N5820 - 1N5822
4
I
（ AV）
平均输出电流（ A）
单相半波
60赫兹电阻或电感
负载9.5毫米引线长度
30
I
F
，正向电流（A）
3
10
2
1.0
1
0
10
30
70
110
130
50
90
T
L
，焊接温度（ ° C）
图。 1正向电流降额曲线
150
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向电压特性
T
j
= 25C
F = 1MHz的
V
SIG
= 50米Vp-p的
100
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
1,000
60
C
T
，总电容（PF ）
10
循环次数在60赫兹
图。 3峰值正向浪涌电流
100
80
100
40
20
0
1
10
0.1
1.0
10
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 4典型的总电容
100
包装外形尺寸
暗淡
A
B
C
D
DO-201AD
民
25.40
7.20
1.20
4.80
尺寸：mm
最大
9.50
1.30
5.30
1N5820 - 1N5822
文件编号： DS23003牧师9 - 2
2 3
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N5820 - 1N5822
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
1N5820 - 1N5822
文件编号： DS23003牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
2010年11月
Diodes公司
1N5820 - 1N5822
PRV ： 20 - 40伏
I
O
： 3.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
高效率
低功耗
低成本
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒
整流二极管
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
*案例： DO - 201AD模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 1.1克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375" ， 9.5毫米引线长度在T
L
= 95
°C
最大峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）T
L
= 75°C
最大正向电压在我
F
= 3.0 A
（注1 ）
最大反向电流
额定阻断电压DC （注1 ）
典型热阻（注2 ）
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
SYMBOL 1N5820
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV
)
20
14
20
1N5821
30
21
30
3.0
1N5822
40
28
40
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
R
θ
JL
T
J
T
英镑
0.475
80
0.500
2.0
20
20
- 65至+ 125
- 65至+ 125
0.525
A
V
mA
mA
° C / W
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
（ 2 ）热阻结到铅垂直印刷电路板安装， 0.5" （ 12.5毫米）引线长度有2.5
2
(63.5mm
2
）铜垫。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
额定值和特性曲线（ 1N5820 - 1N5822 ）
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
3.0
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
100
峰值正向浪涌
当前，安培
20
40
60
80
100
120
140
2.4
80
1.8
60
1.2
40
0.6
20
0
0
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
焊接温度， （
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
20
图4 - 典型的反向特性
反向电流毫安
10
T
J
= 100
°C
正向电流，安培
1N582
10
1N582
1.0
1N5821
1
0.1
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
脉冲宽度=
300s
0.1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
正向电压，伏
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
查看更多1N5822PDF信息
推荐型号
1N5821-G
1N5821H
1N5821RL
1N5821RLG
1N5821S
1N5821-T
1N5821-T3
1N5821-TB
1N5821-TP
1N5821US
1N5822-AP
1N5822-B
1N5822-BP
1N5822-E3
1N5822G
1N5822-G
1N5822H
1N5822RL
1N5822RLG
1N5822S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1N5822
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳思诺康科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1046649961 复制 点击这里给我发消息 QQ：865326994 复制 点击这里给我发消息 QQ：920682673 复制
电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
1N5822
C型
20+
1682
原装现货
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
1N5822
ST(意法)
22+
11801
原装原厂公司现货
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
1N5822
MIC(昌福)
24+
7800
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
1N5822
MIC
22+
12000
DO-201AD
原装现货超低价，可拆包
深圳市合一方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：960030175 复制

电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
1N5822
JXND/嘉兴南电
24+
898000
DO-27
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
1N5822
Panjit
21+
23009
原装现货
深圳市乐创天科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：234502580 复制 点击这里给我发消息 QQ：2355600858 复制

电话：0755-83202997/83785732/83785736
联系人：王先生 陈小姐
地址：深圳市罗湖区爱国路1022号建国大厦602/深圳市福田区华强北新华强电子市场3楼Q3B005
1N5822
MIC
2012
108
DIP
全新原装正品现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
1N5822
STMicroelectronics
2419+
14788
DO-201AD-2
代理STMicroelectronics专营，原装现货优势
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
1N5822
MIC
1844+
6852
DIP
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
1N5822
CJ(长电/长晶)
25+
15568
DO-27
全系列封装原装正品★肖特基二极管
查询更多1N5822供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！