2N7000
首选设备
小信号MOSFET
200毫安， 60伏
N沟道TO- 92
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
50
女士）
漏电流
- 连续
- 脉冲
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
60
±
20
±
40
200
500
350
2.8
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
样式22
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
200毫安
60伏特
R
DS （ ON）
= 5
W
N沟道
D
G
S
热特性
特征
热阻，结到环境
铅的最大温度
焊接目的， 1/16“的情况下，从
10秒
符号
R
qJA
T
L
最大
357
300
单位
° C / W
°C
3
直引线
散装
12
1
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
和引脚分配
2N
7000
AYWW
G
G
1
来源
3
漏
2
门
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版6
出版订单号：
2N7000/D
