
TPC8109
R
DS ( ON)
- TA
40
常见的来源
32
ID
= 5
A
1.3
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
5
10
反向漏电流I
DR
(A)
2.5
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(m)
10
3
24
VGS
= 4
V
ID
= 2.5, 5
A
1.3
16
10
8
1
1
VGS
=
1 V
0
0
80
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.8
1.0
1.2
40
0
40
80
120
160
0.2
0.4
0.6
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.4
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
ID
= 1
mA
脉冲测试
3000
西塞
V
th
(V)
栅极阈值电压
100
2.0
(PF )
1000
1.6
C
1.2
电容
300
常见的来源
100
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
30
0.1
Ta
=
25°C
0.3
1
3
10
科斯
CRSS
0.8
0.4
30
漏源电压
V
DS
(V)
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(°C)
P
D
- TA
2.0
(1)
(1)设备安装在一
玻璃环氧树脂板(一)
(注2A )
( 2)设备安装在一
玻璃环氧基板(二)
(注2B )
动态输入/输出特性
30
常见的来源
VDD
= 24
V
ID
= 10
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
VDS
12
10
6
VGS
6
12
VDD
= 24
V
10
20
30
(W)
(V)
1.6
漏极功耗
漏源电压
(2)
0.8
0.4
0
0
50
100
150
200
0
0
20
40
60
80
0
环境温度
Ta
(°C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
5
2006-11-16
栅源电压
1.2
t
=
10 s
V
GS
(V)
P
D
V
DS