TPC8109
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型( U- MOSIII )
TPC8109
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小,因小而薄的封装
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 14毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 19 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
10
μA (最大值) (V
DS
=
30
V)
增强型: V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
10
40
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
重0.080克(典型值)。
漏极功耗
W
1.0
W
电路CON组fi guration
8
7
6
5
130
10
0.19
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注: (注1 ) (注2 ) (注3)和(注4 ) :参见下页。
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
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2006-11-16