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TPC8109

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）

TPC8109

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 14毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 19 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

μA （最大值）（V

增强型： V

0.8

2.0

V (V

V，I

毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 k)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

1.9

单位

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

重0.080克（典型值）。

漏极功耗

1.0

电路CON组fi guration

130

0.19

150

°C

注：（注1 ）（注2 ）（注3）和（注4 ）：参见下页。

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

2006-11-16

TPC8109

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

第（章-a）的

最大

65.8

单位

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

125

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8109

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：

确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

1.0 mH的，R

= 10

注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

※

每周的代码：

（三位数）

制造周

（ 01年第一周：连续数达52或53 ）

制造年份

（每年的最后一位数字）

2006-11-16

TPC8109

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

5 A

OUT

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±

16 V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

20 V

10 V，I

1毫安

4 V，I

5 A

10 V，I

5 A

10 V，I

5 A

民

典型值。

最大

单位

0.8

2260

290

350

143

6.5

2.0

24 V, V

10 V,

10 A

3.0

4.7

15 V

税

＆ LT ;

1%, t

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

民

典型值。

最大

单位

11 A，V

0 V

1.2

2006-11-16

TPC8109

– V

8 5

2.75

3.75

3.5

3.25

2.5

3.75

– V

3.5

常见的来源

25°C

3.25

脉冲测试

(A)

漏电流

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.25

2.75

2.5

2.25

VGS

= 2

VGS

= 2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

常见的来源

VDS

= 10

0.8

– V

常见的来源

25°C

(V)

(A)

脉冲测试

0.6

脉冲测试

漏源电压

漏电流

0.4

100

= 55°C

0.2

2.5

= 10

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

| – I

100

DS （ ON）

– I

500

300

常见的来源

25°C

脉冲测试

100

VGS

= 4

(S)

正向转移导纳

= 55°C

100

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.3

0.1

0.3

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2006-11-16

TPC8109

DS （ ON）

- TA

常见的来源

= 5

1.3

脉冲测试

100

– V

反向漏电流I

(A)

2.5

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

VGS

= 4

= 2.5, 5

1.3

VGS

1 V

0.1

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.8

1.0

1.2

120

160

0.2

0.4

0.6

环境温度

(°C)

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

2.4

- TA

常见的来源

VDS

= 10

= 1

脉冲测试

3000

西塞

(V)

栅极阈值电压

100

2.0

（PF ）

1000

1.6

1.2

电容

300

常见的来源

100

VGS

0 V

1兆赫

0.1

25°C

0.3

科斯

CRSS

0.8

0.4

漏源电压

(V)

120

160

环境温度

(°C)

- TA

2.0

(1)

（1）设备安装在一

玻璃环氧树脂板（一）

（注2A ）

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）

（注2B ）

动态输入/输出特性

常见的来源

VDD

= 24

= 10

25°C

脉冲测试

VDS

VGS

VDD

= 24

(W)

(V)

1.6

漏极功耗

漏源电压

(2)

0.8

0.4

100

150

200

环境温度

(°C)

总栅极电荷Q

（ NC ）

2006-11-16

栅源电压

1.2

10 s

(V)

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