INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3212
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3212A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
8
100
μA
μA
民
500
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
开关时间
t
on
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
2SC3212
开启时间
2SC3212A
贮存时间
2SC3212
I
C
= 5A ; V
CC
=200V
I
B1
=-I
B2
=1A
下降时间
2SC3212A
OR
CT
U
3.5
1.0
1.2
2.5
1.0
兆赫
μs
t
英镑
μs
t
f
μs
1.2
2
