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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
描述
·带
TO- 3PFa包
ULOW
集电极饱和电压
高
V
CBO
高
高速开关
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC3212
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3212A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
7
15
4
100
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3212
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3212A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
15
8
3.5
兆赫
100
μA
μA
民
500
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
开关时间
2SC3212
t
on
开启时间
2SC3212A
t
英镑
贮存时间
2SC3212
t
f
下降时间
2SC3212A
1.2
I
C
= 5A ; V
CC
=200V
I
B1
=-I
B2
=1A
1.2
2.5
1.0
μs
μs
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3212 2SC3212A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
描述
·带
TO- 3PFa包
ULOW
集电极饱和电压
高
V
CBO
高
高速开关
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC3212
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3212A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
7
15
4
100
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3212
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3212A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
15
8
3.5
兆赫
100
μA
μA
民
500
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
开关时间
2SC3212
t
on
开启时间
2SC3212A
t
英镑
贮存时间
2SC3212
t
f
下降时间
2SC3212A
1.2
I
C
= 5A ; V
CC
=200V
I
B1
=-I
B2
=1A
1.2
2.5
1.0
μs
μs
1.0
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3212 2SC3212A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
描述
·采用TO- 3PFa包
·低集电极饱和电压
●高V
CBO
·高速开关
应用
·对于高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC3212
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3212A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
7
15
4
100
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3212
2SC3212A
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
15
8
3.5
兆赫
100
A
A
民
500
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
集热器
截止电流
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
开关时间
2SC3212
t
on
开启时间
2SC3212A
t
英镑
贮存时间
2SC3212
t
f
下降时间
2SC3212A
1.2
I
C
= 5A ; V
CC
=200V
I
B1
=-I
B2
=1A
1.2
2.5
1.0
s
s
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3212 2SC3212A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
描述
·带
TO- 3PFa包
ULOW
集电极饱和电压
高
V
CBO
高
高速开关
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC3212
集电极 - 基极电压
发射极开路
2SC3212A
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
800
900
500
8
7
15
4
100
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
3
150
-55~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3212 2SC3212A
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3212
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3212A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
=0.2A;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
100
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
8
100
μA
μA
民
500
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
开关时间
t
on
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
2SC3212
开启时间
2SC3212A
贮存时间
2SC3212
I
C
= 5A ; V
CC
=200V
I
B1
=-I
B2
=1A
下降时间
2SC3212A
OR
CT
U
3.5
1.0
1.2
2.5
1.0
兆赫
μs
t
英镑
μs
t
f
μs
1.2
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3212 2SC3212A
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
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