SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
贮存时间
条件
I
C
= 5毫安;我
B
=0
I
C
= 100μA ;我
E
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安;我
B
=5mA
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
=一千万; V
CE
=10V
I
C
=一千万; V
CE
=30V
I
E
=0 ; V
CB
= 50V ; F = 1MHz的
I
C
= 100毫安;我
B1
= 10毫安;我
B2
=0
5
40
50
民
300
350
7.5
2SC1905
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
t
英镑
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
2
2
250
V
A
A
兆赫
4.5
7.5
pF
s
2
