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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1905
描述
·带
TO- 220封装
高
击穿电压
●大
集电极耗散功率
应用
●颜色
电视机水平偏转
司机
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
350
300
7.5
200
400
15
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1905
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μA ;我
E
=0
350
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100μA ;我
C
=0
7.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安;我
B
=5mA
1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ，我
E
=0
2
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
=一千万; V
CE
=10V
40
250
f
T
跃迁频率
I
C
=一千万; V
CE
=30V
50
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 50V ; F = 1MHz的
4.5
pF
μs
t
英镑
贮存时间
I
C
= 100毫安;我
B1
= 10毫安;我
B2
=0
5
7.5
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1905
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1905
描述
·带
TO- 220封装
高
击穿电压
●大
集电极耗散功率
应用
●颜色
电视机水平偏转
司机
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
350
300
7.5
200
400
15
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1905
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μA ;我
E
=0
350
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100μA ;我
C
=0
7.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安;我
B
=5mA
1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ，我
E
=0
2
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
=一千万; V
CE
=10V
40
250
f
T
跃迁频率
I
C
=一千万; V
CE
=30V
50
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 50V ; F = 1MHz的
4.5
pF
μs
t
英镑
贮存时间
I
C
= 100毫安;我
B1
= 10毫安;我
B2
=0
5
7.5
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1905
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1905
描述
·带
TO- 220封装
高
击穿电压
●大
集电极耗散功率
应用
●颜色
电视机水平偏转
司机
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
的HAn
C
ES
G
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
350
300
7.5
200
400
单位
V
V
V
mA
mA
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
15
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1905
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μA ;我
E
=0
350
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100μA ;我
C
=0
7.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安;我
B
=5mA
1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ，我
E
=0
2
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2
μA
h
FE
直流电流增益
f
T
C
OB
固电
IN
跃迁频率
导½
半
I
C
=一千万; V
CE
=10V
40
250
I
C
=一千万; V
CE
=30V
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 50V ; F = 1MHz的
t
英镑
贮存时间
ES
昂
CH
I
C
= 100毫安;我
B1
= 10毫安;我
B2
=0
ICO
EM
OR
UCT
ND
50
4.5
5
7.5
兆赫
pF
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1905
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1905
描述
·采用TO- 220封装
·高击穿电压
·大集电极耗散功率
应用
·彩色电视水平偏转
司机
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
350
300
7.5
200
400
15
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
贮存时间
条件
I
C
= 5毫安;我
B
=0
I
C
= 100μA ;我
E
=0
I
E
= 100μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安;我
B
=5mA
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
=一千万; V
CE
=10V
I
C
=一千万; V
CE
=30V
I
E
=0 ; V
CB
= 50V ; F = 1MHz的
I
C
= 100毫安;我
B1
= 10毫安;我
B2
=0
5
40
50
民
300
350
7.5
2SC1905
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
t
英镑
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
2
2
250
V
A
A
兆赫
4.5
7.5
pF
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1905
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
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212U10S320RD1
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26-22-2021
2N1025
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239.3
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    2SC1905
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