INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
CEV
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 3A ;我
B
=1A
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
V
CE
=90V;V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 30V ;我
B
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
2N3054 2N3054A
民
55
典型值。
最大
单位
V
1.0
6.0
1.7
1.0
6.0
0.5
1.0
40
V
V
V
mA
mA
mA
固
直流电流增益
导½
电半
GE
的HAn
跃迁频率
INC。
ICO
SEM
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V;f=1MHz
器
DUC
N
8
80
3.0
2
