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MA4E2501-1290系列
超越
TM
低门槛
0201足迹硅肖特基二极管
牧师V1
特点
极低的寄生Capitance和电感
非常小的0201 （ 600x300um ）足迹
表面安装的微波电路，无引线键合
需要
坚固HMIC建设与聚酰亚胺划伤保护
可靠，多层金属化与扩散
障，100％稳定烘烤（ 300℃， 16小时）
低敏感性的ESD损伤
A
B
描述
该MA4E2501L - 1290克服二极管是硅低
势垒肖特基器件制造与专利
异类微波集成电路（ HMIC ）的过程。
HMIC电路由硅底座的哪种形式的二极管或
通路导体嵌入玻璃电介质，其作为所述
低色散，微带传输介质。该
硅和玻璃的组合允许HMIC设备具有
在低优异的损耗和功耗特性
轮廓，可靠的设备。
在众志成城的肖特基器件的电路极好的选择
需要加上一个梁式引线装置的小寄生
一个芯片的优越的机械性能。在众志成城
结构采用非常低的电阻硅通孔连接
肖特基接触的金属化的安装焊盘上的底
该芯片的表面。这些设备是可靠的，可重复的，并且一个
较低的性价比解决方案，以传统设备。他们
具有较低的敏感性静电放电比
传统的梁式引线肖特基二极管。
中的制造中使用的多层金属化
超越肖特基结包括一个铂扩散
屏障，它允许所有设备要进行16小时的
非经营稳定烘300℃ 。
极小的“ 0201 ”大纲允许表面贴装
放置和多功能极性方向。
C
D
E
F
G
-
阴极
+
阳极
机箱样式1290
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
分钟。
0.023
0.011
0.004
0.006
0.007
0.006
0.009
in
马克斯。
0.025
0.013
0.008
0.008
0.009
0.008
0.011
mm
分钟。马克斯。
0.575 0.625
0.275 0.325
0.102 0.203
0.150 0.200
0.175 0.225
0.150 0.200
0.220 0.270
1
高级：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标的规格，
模拟的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。产品规格
是典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是
可用。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
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