LT3430/LT3430-1
应用信息
低V
IN
可能会产生由于开关DC更大的损失
损失。在一般情况下，最大和最小V
IN
水平
应该用最大的典型负载电流进行检查
该LT3430 / LT3430-1芯片温度的计算。如果一个
更精确的模具温度是必需的，一个测量
的SYNC引脚电阻（到GND）精神疾病都可以使用。
SYNC引脚电阻可以通过强制来衡量
电压不超过0.5V更大的引脚和监控
引脚的电流随温度的烘箱中。这应该是
用最少的设备电源（低V做
IN
没有开关
(V
C
= 0V） ），以便校准与SYNC引脚电阻
环境温度（炉）的温度。
注意：有些在IC内部功率耗散，
由于BOOST引脚电压，可以调外
IC的降低结温，通过增加
在升压二极管D2的路径上的电压降（见
图9）。这种减少的结温的内部
IC将允许更高的环境温度下操作
一个给定集合的条件。 BOOST引脚电路消散
功率由下式给出：
P
DISS
BOOST引脚
=
V
OUT
(
I
SW
/ 36
)
V
C2
V
IN
节， C2的值被设计用于在0.7V下垂
V
C2
= V
垂
。因此，输出电压低至4V将
仍允许的最低3.3V的升压功能使用
在C2的电容计算。如果一个目标输出电压
12V是必需的，然而，过量的8V的跨接
这不需要升压的升压电容器
功能，但仍消耗额外的功率。
所需要的是在D2相对于所述路径上的电压降
达到最低的功耗，同时仍然保持
C2两端最小升压。齐纳， D4 ，放置在
系列与D2（参见图9） ，滴剂电压到C2中。
例： BOOST引脚的功耗为20V的输入
至12V输出2A的转换由下式给出：
P
BOOST
=
12
(
2 / 36
)
12
=
0.4 W
20
如果7V齐纳二极管D4被放置在一系列D2 ，然后开机
损耗变为：
P
BOOST
=
12
(
2 / 36
)
5
=
0.167 W
20
典型的V
C2
（在电容器C2中的升压电压）
等于V
OUT
。这是因为二极管D1和D2可以是
认为几乎相等，其中：
V
C2
= V
OUT
– V
FD2
– (–V
FD1
) = V
OUT
因此，用于升压电路的功率耗散方程
而不能使在前面的热计算部分给出
表示为：
P
DISS （ BOOST ）
V
OUT
(
I
SW
/ 36
)
=
V
OUT
V
IN
供的FE封装， 45℃ / W的热阻，
环境温度的储蓄会，T （环境）储蓄
D2
D4
D2
BOOST
V
IN
C3
V
IN
LT3430/
LT3430-1
SHDN
SYNC
GND
BIAS
SW
C2
L1
V
OUT
D1
这里可以看出，升压功率耗散增加
作为V的平方
OUT
。这是可能的，但是，为了减少
V
C2
低于V
OUT
以节省功耗，通过增加
在D2的路径的电压降。应注意这
V
C2
不低于最低3.3V升压电压
所需的内部电源开关的完全饱和。
为5V ，V的输出电压
C2
大约为5V 。中
开关导通，V
C2
将下降为自举电容C2是
由BOOST引脚dicharged 。在前面的BOOST引脚
R1
FB
V
C
R2
+
C1
C
F
R
C
C
C
3430 F09
图9. BOOST引脚，二极管的选择
34301fa
20
