IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
产量
每通道
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
民
30/55
1.0
3.4
100
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
测试条件
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
符号
V
CESAT
5300
10
12
0.5
民
典型值。
0.9
最大
1.0
单位
V
V
RMS
pF
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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4
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
