IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出（单，双，四通道
频道）
单通道
特点
125毫安负载电流额定值
快速上升时间， 10
s
快速的下降时间， 35
s
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
E
7
C
6
C
5
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
四通道
A 1
C 2
C 3
A 4
A
C
C
5
6
7
16 E
15 C
14 C
13 E
12 E
11 C
10 C
9 E
A 8
描述
该IL30 / IL31 / IL55单， ILD30 / ILD31 / ILD55
双和ILQ30 / ILQ31 / ILQ55四是光学
加上隔离带砷化镓红外但排放
存器和硅光电复合传感器。开关
同时保持了高度的可达到
驱动和负载电路之间的隔离，以无
信道之间的串扰。这些光电耦合器可以
用来替换芦苇和水银继电器
寿命长，高速交换的优点和
消除磁场。
的IL30 / IL31 / IL55相当于MCA230 /
MCA231 / MCA255 。该ILD30 / ILD31 / ILD55是
旨在减少在高板空间要求
密度的应用。
i179011
e3
Pb
无铅
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
订购信息
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL55-X009
ILD30-X009
ILD31-X007
ILD31-X009
ILD55-X007
ILD55-X009
ILQ30-X009
ILQ55-X007
ILQ55-X009
备注
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 200 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 200 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 200 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
（每个通道）
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
RM
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
部分
IL30
ILD30
ILQ30
IL55
ILD55
ILD55
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
价值
30
30
30
55
55
55
单位
V
V
V
V
V
V
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2
文档编号83621
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
参数
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
部分
符号
I
C
P
DISS
价值
125
150
2.0
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总计封装功耗
测试条件
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
从25° C减免线性
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
绝缘测试电压
爬电距离
净空
漏电起痕指数
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
ISO
符号
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
价值
250
250
250
400
400
400
500
500
500
3.3
3.3
3.3
5.33
5.33
5.33
6.67
6.67
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
175
- 55至+ 125
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
砷化镓发射器（每通道）
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
文档编号83621
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3
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
产量
每通道
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
民
30/55
1.0
3.4
100
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
测试条件
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
符号
V
CESAT
5300
10
12
0.5
民
典型值。
0.9
最大
1.0
单位
V
V
RMS
pF
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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4
文档编号83621
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
开关特性
参数
上升时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
符号
t
r
t
f
民
典型值。
10
35
最大
单位
s
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.4
VF - 正向电压 - V
10
TA = -55°C
尼斯 - 归一冰
标准化为：
IF = 10毫安
VCE = 5 V
VCE = 5 V
1. 3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
TA = 25°C
VCE = 1V
.1
TA = 85°C
.01
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
iil30_03
.001
.1
10
1
IF - LED电流 - 毫安
100
iil30_01
图1.正向电压与正向电流
图3.归非饱和与饱和集电极
发射极电流与LED电流
1.2
NCTRce - 归CTRce
标准化为：
NICB - 归ICB
10
标准化为：
VCB = 3.5 V
1
IF = 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE = 5 V
IF = 10毫安
VCE = 5 V
.1
.01
VCE = 1V
0.0
.1
1
10
100
1000
.001
.1
iil30_04
IF - LED电流 - 毫安
iil30_02
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
图2.归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图4.归集电极基光电流与LED
当前
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
单通道
特点
125毫安负载电流额定值
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
快速上升时间， 10微秒
快速下降时间， 35微秒
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
E
7
C
6
C
5
E
机构认证
四通道
A 1
C 2
C 3
A
A
C
C
A
i179011
16 E
15 C
14 C
13 E
12 E
11 C
10 C
9 E
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 IEC 60065
FIMKO
4
5
6
7
8
描述
该IL30 / IL31 / IL55单， ILD30 / ILD31 / ILD55双和
ILQ30 / ILQ31 / ILQ55四光耦合隔离器
镓
砷化
红外线
发射器
和
硅
光电复合传感器。开关就可以实现，而
维持驱动和之间的高度隔离
加载电路，与信道之间没有串扰。这些
光电耦合器可用于代替簧片和汞
继电器具有寿命长，高速开关和优势
消除磁场。
的IL30 / IL31 / IL55相当于MCA230 / MCA231 /
MCA255 。该ILD30 / ILD31 / ILD55旨在降低
电路板空间要求高密度应用。
订购信息
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL55-X009
ILD30-X009
ILD31-X007
ILD31-X009
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
备注
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 200 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 200 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 200 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
订购信息
部分
ILD55-X007
ILD55-X009
ILQ30-X009
ILQ55-X007
ILQ55-X009
备注
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
绝对最大额定值
参数
输入
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
IL30
ILD30
ILQ30
IL55
ILD55
ILD55
V
RM
I
F
P
DISS
3.0
60
100
1.33
30
30
30
55
55
55
125
150
2.0
250
250
250
400
400
400
500
500
500
3.3
3.3
3.3
5.33
5.33
5.33
6.67
6.67
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
CTI
T
英镑
175
- 55至+ 125
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
集电极发射极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
耦合器
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
I
C
P
DISS
总计封装功耗
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
储存温度
V
ISO
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
绝对最大额定值
参数
耦合器
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
AMB
- 55至+ 100
10
°C
s
测试条件
部分
符号
价值
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
V
CESAT
5300
10
12
0.5
0.9
1.0
V
V
RMS
Ω
pF
I
C
= 100 A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
30/55
1.0
3.4
100
V
nA
pF
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
电流传输比
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
上升时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
r
t
f
分钟。
典型值。
10
35
马克斯。
单位
s
s
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
10
环境温度Tamb = - 55°C
1.2
1.1
1.0
0.9
TAMB =
85
°C
0.8
0.7
0.1
iil30_01
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
V
F
- 前进
电压
(V)
NICB
-
归
（ ICB ）
1.3
1
归
要：
VCB
= 3.5
V
I
F
= 10毫安
环境温度Tamb = 25°C
0.1
0.01
1
10
100
0.001
0.1
iil30_04
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 4 - 归集电极基光电流与LED电流
1.2
12000
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
10000
h
FE
- 电流增益
8000
V
CE
= 1
V
6000
4000
2000
V
CE
= 1
V
0
0.01
iil30_05
V
CE
= 5
V
NCTR
ce
-
归
CTR
ce
1.0
0.8
0.6
V
CE
= 5
V
0.4
0.2
0.0
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
基极电流
10
100
iil30_02
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 5 - H
FE
电流增益与基极电流
10
t
PLH
- 低/高传播
DELAY （微秒）
NI
ce
-
归
I
ce
1
归
要：
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
80
V
CE
= 5
V
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
60
1.0 kΩ
V
CE
= 1
V
0.1
40
220
Ω
470
Ω
0.01
20
100
Ω
0
0
5
10
15
20
0.001
0.1
iil30_03
1
10
100
iil30_06
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 3 - 归非饱和与饱和集电极发射极
电流与LED电流
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4
图。 6 - 从低到高传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
威世半导体
20
的TPH1 - 高/低传播
延迟 -
s
15
1 kΩ
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10
100
Ω
5
0
0
iil30_07
5
10
15
20
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 高到低传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
I
F
t
D
V
O
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5
V
t
PHL
iil30_08
t
S
t
F
图。 8 - 开关波形
V
CC
= 13.5
V
F = 10 kHz时，
DF = 50
%
R
L
V
O
I
F
= 50μm的
iil30_09
图。 9 - 开关示意图
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出（单，双，四通道
频道）
单通道
特点
125毫安负载电流额定值
快速上升时间， 10
s
快速的下降时间， 35
s
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
E
7
C
6
C
5
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
四通道
A 1
C 2
C 3
A 4
A
C
C
5
6
7
16 E
15 C
14 C
13 E
12 E
11 C
10 C
9 E
A 8
描述
该IL30 / IL31 / IL55单， ILD30 / ILD31 / ILD55
双和ILQ30 / ILQ31 / ILQ55四是光学
加上隔离带砷化镓红外但排放
存器和硅光电复合传感器。开关
同时保持了高度的可达到
驱动和负载电路之间的隔离，以无
信道之间的串扰。这些光电耦合器可以
用来替换芦苇和水银继电器
寿命长，高速交换的优点和
消除磁场。
的IL30 / IL31 / IL55相当于MCA230 /
MCA231 / MCA255 。该ILD30 / ILD31 / ILD55是
旨在减少在高板空间要求
密度的应用。
i179011
e3
Pb
无铅
文档编号83621
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
订购信息
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL55-X009
ILD30-X009
ILD31-X007
ILD31-X009
ILD55-X007
ILD55-X009
ILQ30-X009
ILQ55-X007
ILQ55-X009
备注
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 200 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 200 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 200 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
（每个通道）
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
RM
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
部分
IL30
ILD30
ILQ30
IL55
ILD55
ILD55
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
价值
30
30
30
55
55
55
单位
V
V
V
V
V
V
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
参数
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
部分
符号
I
C
P
DISS
价值
125
150
2.0
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总计封装功耗
测试条件
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
从25° C减免线性
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
绝缘测试电压
爬电距离
净空
漏电起痕指数
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
ISO
符号
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
价值
250
250
250
400
400
400
500
500
500
3.3
3.3
3.3
5.33
5.33
5.33
6.67
6.67
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
175
- 55至+ 125
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
砷化镓发射器（每通道）
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
产量
每通道
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
民
30/55
1.0
3.4
100
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
测试条件
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
符号
V
CESAT
5300
10
12
0.5
民
典型值。
0.9
最大
1.0
单位
V
V
RMS
pF
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
开关特性
参数
上升时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
符号
t
r
t
f
民
典型值。
10
35
最大
单位
s
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.4
VF - 正向电压 - V
10
TA = -55°C
尼斯 - 归一冰
标准化为：
IF = 10毫安
VCE = 5 V
VCE = 5 V
1. 3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
TA = 25°C
VCE = 1V
.1
TA = 85°C
.01
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
iil30_03
.001
.1
10
1
IF - LED电流 - 毫安
100
iil30_01
图1.正向电压与正向电流
图3.归非饱和与饱和集电极
发射极电流与LED电流
1.2
NCTRce - 归CTRce
标准化为：
NICB - 归ICB
10
标准化为：
VCB = 3.5 V
1
IF = 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE = 5 V
IF = 10毫安
VCE = 5 V
.1
.01
VCE = 1V
0.0
.1
1
10
100
1000
.001
.1
iil30_04
IF - LED电流 - 毫安
iil30_02
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
图2.归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图4.归集电极基光电流与LED
当前
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QQ：2880707522 复制
