M65608E
AC参数
AC测试条件
输入脉冲电平： .................................... GND到3.0V
输入上升/下降时间： ............................... 5纳秒
输入时序参考电平： 1.5V ................
输出负载的IOL / IOH （参见图1和图2 ） 30 pF的
AC测试负载波形
图1
图2
科幻gure 3
数据保持方式
爱特梅尔CMOS RAM的设计有电池备份的初衷。数据保持电压
而电源电流，保证了温度。以下规则保证数据
保留：
1.在数据保留片选CS1必须在高VCC日至VCC -
0.2V或片选CS2必须按住内GND到GND + 0.2V 。
2.输出使能（ OE ）应保持高电平，以保持RAM输出高阻抗
ANCE ，最大限度地降低功耗。
3.在上电和断电转换CS1和OE必须保持在
VCC + 0.3V和70 ％的VCC的，或与GND和GND -0.3V之间CS2 。
4. RAM就可以开始操作> TR NS后VCC达到最低操作
化电压（ 4.5V ） 。
定时
6
4151M–AERO–07/07
