【M65608E写周期3 CS1和CS2 ，控制注意：存储器的内部写入时间由CS1低和CS2高和W低的】,第10页-M65608E

M65608E

写周期3 CS1和CS2 ，

控制

注意：

存储器的内部写入时间由CS1低和CS2高和W低的重叠限定。这两个信号必须

活化开始写，要么信号可以通过在去活化终止写入。如果数据输入建立和保持时间

涉及到该终止写信号的活化边缘。数据出来，如果是OE高阻抗=

4151M–AERO–07/07

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