特点
工作电压： 5V
访问时间： 30秒，45纳秒
非常低的功耗
- 活动： 600毫瓦（最大）
- 待机： 1 μW （典型值）
宽温度范围： -55 ° C至+ 125°C
400密耳宽套餐： FP32和SB32
TTL兼容的输入和输出
异步
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为30 krads （SI ），符合MIL STD 883方法1019
QML Q和V带SMD 5962-89598
食管鳞状细胞癌与规格9301/047
描述
该M65608E是组织为131072 ×8位的低功耗CMOS静态RAM 。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述M65608E结合了
极低的待机电流（典型值= 0.2 μA ），具有快速存取时间
在30 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
该M65608E是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535或ESCC 9000 。
弧度。宽容
128K ×8
5-volts
极低的功耗
CMOS SRAM
M65608E
修订版4151M - AERO - 7月7日
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