HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ）
RF输入功率（ rfiN1 ， rfiN2 ）
（ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免17.86兆瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
+6 V
+10 dBm的
150 °C
1.16 W
56 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型的供应
电流与VDD（ Rbias两端= 10kΩ的）
VDD1 ， VDD2 （ V）
2.7
3.0
3.3
4.5
5.0
5.5
IDD1 ， IDD2 （毫安）
24
34
44
82
97
110
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 367
注：功率放大器ER将工作在上面显示全电压范围。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地线和接地桨
必须焊接到PCB的RF接地。
7.参考赫梯应用笔记
建议土地格局。
包装信息
产品型号
HMC816LP4E
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
[2]
包装标志
[1]
H816
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
