HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
特点
低噪声系数： 0.5分贝
高增益： 22分贝
高输出IP3 ： +37 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
24引脚的4x4mm QFN封装： 16毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HMC816LP4E是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
多通道应用
工作原理图
概述
该HMC816LP4E是GaAs PHEMT双通道
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
在230和660 MHz的操作。该放大器
经过优化，提供0.5分贝噪声系数，
22分贝增益和+37 dBm的输出IP3从单一
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
出色的用最少的外部匹配和偏置
去耦元件。该HMC816LP4E股
与HMC817-相同的封装和引脚
LP4E & HMC818LP4E低噪声放大器。该HMC817LP4E可以
被偏置+ 3V至+ 5V和采用外部
可调电源电流允许设计者
定制的各信道的线性性能
在LNA的每个应用程序。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C,
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
24
10
10
17
RBIAS 1 ， 2 = 10K欧姆* ， VDD = VDD1 ， VDD2 = + 5V ，国际直拨电话= IDD1 ， IDD2
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
230 - 450
21
0.001
0.5
13
12
14
15
26
34
44
24
13
14
0.9
14
马克斯。
分钟。
典型值。
450 - 660
17
0.002
0.5
17
10
16
16.5
28
34
44
68
15
16
0.9
19
马克斯。
分钟。
典型值。
230 - 450
22
0.005
0.5
15
13
19
20
34
97
126
68
18
18
0.9
15
VDD = 5V +
马克斯。
分钟。
典型值。
450 - 660
19
0.007
0.5
16
10
21
21
37
97
126
0.9
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
* Rbias两端设置当前，见应用电路这里
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
增益与温度
[1]
24
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
S11
S22
VDD = 5V
VDD = 3V
S21
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
22
增益（dB ）
20
18
+25C
+85C
- 40C
16
14
1.2
1.4
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
增益与温度
[2]
24
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
22
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
- 40C
增益（dB ）
20
-10
18
+25C
+85C
- 40C
16
-15
14
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
-20
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
反向隔离度（dB ）
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
- 40C
-10
-15
-20
-25
-30
-35
+25C
+85C
- 40C
-10
-15
-20
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
-40
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
P1dB为与温度的关系
24
22
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1]
1
0.8
噪声系数（dB ）
+85C
20
0.6
+25 C
Vdd=5V
P1dB的（ DBM）
18
16
14
0.4
-40C
Vdd=5V
Vdd=3V
Vdd=3V
+25 C
+85 C
- 40 C
0.2
12
10
0.2
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
频率（GHz ）
PSAT与温度的关系
24
22
20
PSAT （ DBM）
18
16
14
12
10
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
Vdd=3V
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
45
Vdd=5V
40
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
- 40 C
35
30
25
Vdd=3V
+25 C
+85 C
- 40 C
20
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 400 MHz的
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
144
126
108
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 500 MHz的
43
40
37
IP3 （ dBm的）
34
31
28
25
22
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
IDD （MA ）
90
IDD （MA ）
72
54
36
18
0
5.5
在评价PCB图中所示[ 1 ]测量基准面。
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
功率压缩@ 400 MHz的
[2]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
噘
收益
PAE
功率压缩@ 400 MHz的
[1]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数（dB ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 500 MHz的
[1]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
功率压缩@ 500 MHz的
[2]
50
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 400 MHz的
24
收益
P1dB
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 500 MHz的
1
24
收益
P1dB
1
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
0.6
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
22
0.8
噪声系数（dB ）
22
0.8
20
0.6
18
0.4
18
0.4
16
噪声系数
0.2
16
噪声系数
0.2
14
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
0
5.5
14
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
0
5.5
电源电压（ V）
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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7-4
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 500 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 400 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
500
1000
Rbias两端（欧姆）
VDD = 3V
VDD = 5V
26
24
10000
22
500
1000
VDD = 3V
VDD = 5V
10000
Rbias两端（欧姆）
跨通道隔离
[1]
0
幅度平衡
[1]
1
幅度平衡（分贝）
0.7
-10
隔离度（dB ）
RFIN1 TO RFOUT2
RFIN2 TO RFOUT1
0.5
-20
0
-30
-0.5
-40
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
-1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
频率（GHz ）
相位平衡
2
相位平衡（度）
[1]
绝对偏置寄存器碘缺乏病
范围&推荐偏置电阻
Vdd的（V）的
RBIAS Ω
民
4.7k
最大
开放
电路
推荐
10k
820
IDD （MA ）
34
65
80
90
97
1
3V
0
5V
-1
0
开放
电路
2k
3.92k
10k
-2
0.2
同的Vdd = 3V Rbias两端<4.7k不推荐，并可能导致
LNA有条件成为不稳定。
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
[1] VDD = 5V
7-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
特点
低噪声系数： 0.5分贝
高增益： 22分贝
高输出IP3 ： +37 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
24引脚的4x4mm QFN封装： 16毫米
2
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
该HMC816LP4E是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
多通道应用
工作原理图
概述
该HMC816LP4E是GaAs PHEMT双通道
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
在230和660 MHz的操作。该放大器
经过优化，提供0.5分贝噪声系数，
22分贝增益和+37 dBm的输出IP3从单一
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
出色的用最少的外部匹配和偏置
去耦元件。该HMC816LP4E股
与HMC817-相同的封装和引脚
LP4E & HMC818LP4E低噪声放大器。该HMC817LP4E可以
被偏置+ 3V至+ 5V和采用外部
可调电源电流允许设计者
定制的各信道的线性性能
在LNA的每个应用程序。
电气电源规格，
T
A
= +25° C,
RBIAS 1 ， 2 = 10K欧姆* ， VDD = VDD1 ， VDD2 = + 5V ，国际直拨电话= IDD1 ， IDD2
VDD = 3V +
参数
分钟。
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
24
10
10
17
典型值。
230 - 450
21
0.001
0.5
13
12
14
15
26
34
44
24
13
14
0.9
14
马克斯。
分钟。
典型值。
450 - 660
17
0.002
0.5
17
10
16
16.5
28
34
44
68
15
16
0.9
19
马克斯。
分钟。
典型值。
230 - 450
22
0.005
0.5
15
13
19
20
34
97
126
68
18
18
0.9
15
马克斯。
分钟。
典型值。
450 - 660
19
0.007
0.5
16
10
21
21
37
97
126
0.9
马克斯。
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
VDD = 5V +
单位
* Rbias两端设置当前，见应用电路这里
8 - 362
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
S11
S22
VDD = 5V
VDD = 3V
S21
增益与温度
[1]
24
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 363
22
增益（dB ）
20
18
+25C
+85C
- 40C
16
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
1.2
1.4
14
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
增益与温度
[2]
24
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
22
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
- 40C
增益（dB ）
20
-10
18
+25C
+85C
- 40C
-15
16
14
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
-20
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
反向隔离度（dB ）
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
- 40C
-10
-15
-20
-25
-30
-35
+25C
+85C
- 40C
-10
-15
-20
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
-40
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
8
低噪声放大器 - SMT
噪声系数与温度
[1]
1
P1dB为与温度的关系
24
22
0.8
噪声系数（dB ）
+85C
20
0.6
+25 C
Vdd=5V
P1dB的（ DBM）
18
16
Vdd=3V
0.4
-40C
14
Vdd=5V
Vdd=3V
0.2
12
10
0.2
+25 C
+85 C
- 40 C
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
频率（GHz ）
频率（GHz ）
PSAT与温度的关系
24
22
输出IP3与温度的关系
45
Vdd=5V
40
20
PSAT （ DBM）
18
16
14
12
10
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45 0.5 0.55
频率（GHz ）
0.6
0.65
0.7
Vdd=3V
Vdd=5V
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
- 40 C
35
30
25
Vdd=3V
+25 C
+85 C
- 40 C
20
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 400 MHz的
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
144
126
108
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 500 MHz的
43
40
37
IP3 （ dBm的）
34
31
28
25
22
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
IDD （MA ）
90
IDD （MA ）
72
54
36
18
0
5.5
电源电压（ V）
电源电压（ V）
在评价PCB图中所示[ 1 ]测量基准面。
8 - 364
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
功率压缩@ 400 MHz的
[1]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
噘
收益
PAE
功率压缩@ 400 MHz的
[2]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
噘
收益
PAE
8
低噪声放大器 - SMT
噪声系数（dB ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 500 MHz的
[1]
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
功率压缩@ 500 MHz的
[2]
50
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
输入功率（dBm ）
噘
收益
PAE
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 400 MHz的
24
收益
P1dB
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 500 MHz的
1
24
收益
P1dB
1
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
20
0.6
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
22
0.8
噪声系数（dB ）
22
0.8
20
0.6
18
0.4
18
0.4
16
噪声系数
0.2
16
噪声系数
0.2
14
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
0
5.5
14
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
0
5.5
电源电压（ V）
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V [ 2 ] VDD = 3V
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8 - 365
HMC816LP4E
v00.1108
SMT的GaAs PHEMT DUAL CHANNEL
低噪声放大器， 230 - 660兆赫
8
低噪声放大器 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 400 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
500
VDD = 3V
VDD = 5V
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 500 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
500
VDD = 3V
VDD = 5V
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
跨通道隔离
[1]
0
幅度平衡
[1]
1
幅度平衡（分贝）
0.7
-10
隔离度（dB ）
RFIN1 TO RFOUT2
RFIN2 TO RFOUT1
0.5
-20
0
-30
-0.5
-40
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
-1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
频率（GHz ）
相位平衡
2
相位平衡（度）
[1]
绝对偏置寄存器碘缺乏病
范围&推荐偏置电阻
RBIAS Ω
Vdd的（V）的
民
最大
开放
电路
推荐
10k
820
34
65
80
90
97
IDD （MA ）
1
3V
4.7k
0
5V
-1
0
开放
电路
2k
3.92k
10k
同的Vdd = 3V Rbias两端<4.7k不推荐，并可能导致
LNA有条件成为不稳定。
-2
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率（GHz ）
[1] VDD = 5V
8 - 366
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