变容二极管

SG-950

WIDEBAND超突变调谐变容二极管

微波超突变系列

特点

梅萨硅外延建设

二氧化硅钝化

卓越的宽范围线性特性

高比例调整

=高Q

有共阴极风格

提供芯片形式（加后缀-000 ）

高线性度压控振荡器

移相器

特定网络阳离子

在10 μA DC反向击穿电压

（在25℃ ） ： 20 V分

在-20 V最大反向漏电流

（在25℃ ） ： 0.05微安的直流

在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额

线性为零在+ 125 ℃）的

工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C

存储温度： -55°C至+ 125°C

应用

低相位噪声压控振荡器

锁相回路压控振荡器

总

电容

C

T

（PF ） -0 V

民

2.7

4.2

6.3

11.9

26.0

总

电容

C

T

（PF ）为-4 V

民

最大

1.25

1.70

2.20

3.70

9.00

1.75

2.50

3.80

5.50

11.00

总

电容

C

T

（ pF）时，在-20 V

民

最大

0.43

0.52

0.68

0.94

1.90

0.57

0.72

0.96

1.30

2.50

Q分

在-4 V

（ 50兆赫）

1000

850

700

600

400

型号

单身

GVD30422-001

GVD30432-001

GVD30442-001

GVD30452-001

GVD30462-001

常见

阴极

GVD30422-004

GVD30432-004

GVD30442-004

GVD30452-004

GVD30462-004

3

顶视图

3

0.031

典型值

0.80

0.035

典型值

0.90

50.0

1

2

（单）

1

2

（共阴极）

0.115

±

0.005

2.93

±

0.13

0.079

2.0

10.0

0.038

±

0.003

0.96

±

0.065

0.037

0.95

0.037

0.95

焊盘布局

C

T

（PF ）

5.0

3.0

2.0

GVD30432-001

GVD30452-001

0.091

±

0.008

2.3

±

0.2

0.051

±

0.004

1.3

±

0.1

0.021

±

0.003

0.53

±

0.08

0.075

±

0.005

1.91

±

0.13

0.040

±

0.007

1.03

±

0.18

1.0

GVD30422-001

0.5

0.016

±

0.002

0.41

±

0.04

典型值

0.3

0.007

±

0.003

0.18

±

0.08

0.0047

±

0.0013

0.12

±

0.033

典型值

0.5

1

2

3

4 5 6

10

20

30

50

反向电压

（伏）

SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。

所有尺寸都在

/

mm.

除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004

/

0.1.

6

。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com