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变容二极管
SG-950
高Q突发性调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
经济价
军用级性能
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
锁相回路压控振荡器
中等带宽的VCO
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：30V分钟
在-25 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
电容
比
C
T
在0 V
C
T
在-30 V
民
3.4
3.5
3.5
3.7
3.7
3.8
3.9
3.9
4.0
4.0
4.0
4.1
4.1
4.2
4.2
4.2
应用
低相位噪声压控振荡器
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
(±10 %)
1.2
1.5
1.8
2.2
2.7
3.3
3.9
4.7
5.6
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
型号
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
3200
3000
3000
3000
2500
2500
2500
2000
2000
2000
2000
1800
1600
1250
1000
850
常见
阴极
GVD1202-004
GVD1203-004
GVD1204-004
GVD1205-004
GVD1206-004
GVD1207-004
GVD1208-004
GVD1209-004
GVD1210-004
—
—
—
—
—
—
—
单身
GVD1202-001
GVD1203-001
GVD1204-001
GVD1205-001
GVD1206-001
GVD1207-001
GVD1208-001
GVD1209-001
GVD1210-001
GVD1211-001
GVD1212-001
GVD1213-001
GVD1214-001
GVD1215-001
GVD1216-001
GVD1217-001
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
20
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
10
0.079
2.0
GVD1213-001
5
0.037
0.95
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
GVD1211-001
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
0.037
0.95
焊盘布局
连接点
3
电容
（PF ）
2
GVD1207-001
GVD1209-001
GVD1203-001
1
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.5
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
1
2
3
4
5 6
10
20
30
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
10
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