CYStech电子股份有限公司
ESD保护的N沟道MOSFET
规格。编号： C447S6R
发行日期： 2009.06.03
修订日期：
页页次： 1/6
MTDK3S6R
描述
低电压驱动， 1.8V
易于并联使用
高开关速度
ESD保护器件
= Pb-Free包装
BV
DSS
I
D
R
DSON
20V
100mA
3Ω
符号
MTDK3S6R
概要
SOT-363
Tr1
TR 2
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲（T
a
=25°C)
总功耗
ESD敏感性
工作结存储温度范围
热阻，结到环境
注： * 1 。脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤2%
* 2 。每个元素为200mW不得超过
* 3 。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF电容
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
Tj
RTH ， JA
范围
20
±8
100
400
*1
300
*2
350
*3
-55~+150
415
单位
V
V
mA
mA
mW
V
°C
° C / W
MTDK3S6R
CYStek产品规格
