【CYStech电子股份有限公司ESD保护的N沟道MOSFET规格。编号： C447S6R发行日期：】,IC型号MTDK3S6R,MTDK3S6R PDF资料,MTDK3S6R经销商,ic,电子元器件-51电子网

CYStech电子股份有限公司

ESD保护的N沟道MOSFET

规格。编号： C447S6R

发行日期： 2009.06.03

修订日期：

页页次： 1/6

MTDK3S6R

描述

低电压驱动， 1.8V

易于并联使用

高开关速度

ESD保护器件

= Pb-Free包装

DSS

DSON

20V

100mA

3Ω

符号

MTDK3S6R

概要

SOT-363

Tr1

TR 2

以下特征同时适用于Tr1和Tr2

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲（T

=25°C)

总功耗

ESD敏感性

工作结存储温度范围

热阻，结到环境

注： * 1 。脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤2%

* 2 。每个元素为200mW不得超过

* 3 。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF电容

符号

DSS

RTH ， JA

范围

±8

100

400

300

350

-55~+150

415

单位

°C

° C / W

MTDK3S6R

CYStek产品规格

CYStech电子股份有限公司

电气特性

(Ta=25°C)

符号

STATIC

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

分钟。

0.5

100

典型值。

1.7

3.5

马克斯。

1.0

500

单位

μA

规格。编号： C447S6R

发行日期： 2009.06.03

修订日期：

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测试条件

=0, I

=100μA

, I

=250μA

8V, V

=20V, V

= 4.5V ，我

=100mA

= 1.8V ，我

=20mA

= 5V ，我

=100mA

动态

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

=10V, V

= 0中，f = 1MHz的

= 0V时，我

=10mA

*脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

值班Cycle≤2 ％

订购信息

设备

MTDK3S6R

包

SOT-363

（无铅）

航运

3000个/带卷&

记号

特性曲线

典型的输出特性

0.7

0.6

漏电流 - ID （ A）

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

漏源电压-VDS （ V）

2.0V

1.8V

VGS=1.5V

4.5V

典型的传输特性

0.8

0.7

漏电流-ID （ A）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

栅极 - 源极电压VGS （V ）

4.0V

3.5V

2.5V

VDS=3V

MTDK3S6R

CYStek产品规格

CYStech电子股份有限公司

特性曲线（续）

静态漏源通态电阻与漏电流

规格。编号： C447S6R

发行日期： 2009.06.03

修订日期：

页页次： 3/6

静态漏源通态电阻与栅源

电压

静态漏源导通状态

电阻RDS （ ON）（ Ω ）

静态漏源导通状态

电阻RDS （ ON）（ Ω ）

ID=20mA

ID=100mA

VGS=1.8V

VGS=4.5V

0.001

0.01

0.1

漏电流ID （ A）

栅极 - 源极电压VGS （V ）

反向漏电流与源极 - 漏极电压

源极 - 漏极电压VSD （V ）

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

反向漏电流-idr （ A）

功率降额曲线

350

功耗--- PD （MW ）

300

双

电容VS漏 - 源极电压

100

西塞

---电容（PF ）

OSS

CRSS

0.4

0.1

漏源电压-VDS （ V）

100

250

200

150

100

150

环境温度--- TA （ ℃ ）

200

单身

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REEL DIMENSION

规格。编号： C447S6R

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载带尺寸

MTDK3S6R

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推荐波峰焊条件

产品

无铅器件

峰值温度

260 +0/-5

°C

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修订日期：

页页次： 5/6

焊接时间

5 + 1 / -1秒

红外回流焊推荐温度曲线

注：所有温度是指在封装的顶面，在封装体的表面进行测量。

廓特征

平均升温速率

（ Tsmax至TP）

预热

温度

敏（T

分）

温度

最大（T

MAX ）

- 时间（ TS

民

到TS

最大

)

时间保持高于：

温度

)

时间（t

)

峰值温度（T

)

在5 ℃，实际峰值的时间

温度（Tp ）

倾斜下降率

25时

°C

峰值温度

的Sn -Pb共晶组件

3 ° C /秒。

100°C

150°C

60-120秒

183°C

60-150秒

240 +0/-5

°C

10-30秒

6 ° C /秒。

6分钟最多。

无铅封装

3 ° C /秒。

150°C

200°C

60-180秒

217°C

60-150秒

260 +0/-5

°C

20-40秒

6 ° C /秒。

最多8分钟。

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23000

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