EN25LF10
图13块擦除指令序列图
芯片擦除（ CE ） （ C7H / 60H ）
芯片擦除（ CE）指令集所有位为1 （ FFH ） 。才可以被接受，一个写使能
（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。写使能（ WREN）指令后
已经被解码，设备设置写使能锁存（ WEL ） 。
芯片擦除（CE）的指令通过驱动片选（CS ＃ ）低输入，后面是
在串行数据输入（ DI ）指令代码。片选信号（ CS ＃ ）必须驱动为低电平整个
持续时间的顺序。
该指令序列示于图14片选（CS ＃ ）后必须驱动高
的指令代码第八位被锁存在，否则芯片擦除指令不
执行。当片选（ CS ＃ ）驱动为高电平，自定时芯片擦除周期（其
持续时间是TCE）被启动。而芯片擦除周期正在进行中，状态寄存器可能
读来检查正在进行中（ WIP ）位写的值。正在写（ WIP ）位为1
自定时芯片擦除周期期间，和是0时，它被完成。在某个不确定的时间
该循环完成之前，写使能锁存器（ WEL）位被复位。
芯片擦除（ CE ）指令只有当所有块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是0。
如果一个或更多的扇区被保护芯片擦除（ CE），指令将被忽略。
图14.芯片擦除指令序列图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
