EN25LF10
EN25LF10
1兆位串行闪存与4KB的扇区制服
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.35-3.6伏
1兆位串行闪存
- 1 M位/ 128千字节/ 512页
- 每个可编程页的256字节
高性能
- 75MHz的时钟速率
低功耗
- 5毫安典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
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统一的部门架构：
32个扇区4K字节
32 KB的4块
任何部门或块可以
独立擦除
软件和硬件写保护：
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP ＃引脚
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高性能的编程/擦除速度
页编程时间： 1.5ms的典型
扇区擦除时间： 150ms的典型
块擦除时间800毫秒典型
芯片擦除时间：2秒典型
可锁定256字节的OTP安全部门
最低100K耐力周期
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封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8接触VDFN
所有无铅封装符合RoHS标准
工业温度范围
概述
该EN25LF10是1M位（ 128K字节）串行闪存，具有先进的写保护
的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1
256个字节的时间，使用页面编程指令。
该EN25LF10被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该
EN25LF10可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该
装置能承受的100K计划最低/擦除周期的每一个扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
