HFS2N65S
典型特征
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.地区特点
图2.传输特性
12
R
DS （ ON）
[],
漏源导通电阻
9
V
GS
= 10V
6
V
GS
= 20V
3
*注：t
J
= 25
o
C
0
0
1
2
3
I
D
，漏电流[ A]
4
5
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
V
DS
= 130V
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 325V
V
DS
= 520V
电容[ pF的]
8
6
4
2
*注：我
D
= 1.8A
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
