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NCP4303A/B
图从SR系统35.波形TO220封装的MOSFET使用无寄生电感
补偿 - SR MOSFET通道导通时间缩短
注意，该误差的效率的影响引起的
较低的R PARASITIC电感增大
DS （ ON）
MOSFET和/或更高的工作频率。
该NCP4303提供了一种方法来补偿MOSFET
寄生电感效应
请参考图36 。
图36.封装寄生电感补偿原理
专用输入器（COMP ）提供使用的可能性
外部补偿电感（线带或PCB ） 。如果
这种补偿电感值设为L
COMP
= L
漏
+ L
来源
，在此补偿电压产生
电感是完全一样的误差电压的总和
在源极和漏极寄生电感产生，即VL
漏
+ VL
来源
。内部模变换器（图33）反相
补偿电压Vl_comp ，并抵消了经常
检测比较器关断阈值。电流检测
比较从而“看到”它的端子的电压之间的
将看到的，在SR MOSFET的沟道电阻
区分铅电感也就不存在了。电流检测
的NCP4303的比较，因此能够检测出
次级电流零交叉非常精确。更多的，
二次电流关断阈值则是二（ T） /吨
因此，独立的NCP4303允许增加工作
频率的SR系统。要注意的是，
补偿电感寄生电阻应为
越低越好相比于SR MOSFET的沟道和
导致性赔偿，否则是没有效率。
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