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NCP4303A/B
图34. ZCD比较器的阈值和消隐周期时序
如果没有R
shift_cs
电阻器的情况下，导通和关断
阈值由CS输入规格完全考虑
（请参见参数表） 。一旦非零点R
shift_cs
电阻器时，两个阈值向下移动（即高
MOSFET的关断电流）为CS引脚偏置电流
引起的电压降等于：
V_Rshift_cs
+
Rshift_cs * Ishift_cs
（当量1）
最后的导通和关断阈值可以计算出来，然后
如：
VCS_turn_on
+
Vth_CS_on
*
（ Rshift_cs * Ishift_cs ）
（当量2）
VCS_turn_off
+
Vth_CS_off
*
（ Rshift_cs * Ishift_cs ）
（当量3）
需要注意的是R
shift_cs
在导通阈值的影响是不太重要
比较关断阈值。
如果使用的是SR MOSFET的TO220封装（或其他
包设有引线）的寄生电感
该封装引线引起的关断电流阈值
增加。这是因为，电流流经的SR
MOSFET具有相当高的二（叔） / dt的诱导误差电压
对SR MOSFET的引线电感。此误差电压，
成比例的次级电流衍生物，
移动CS输入电压为零时显著电流
仍然流过的通道。零电流阈值，因此
当检测到的电流仍流过的SR MOSFET的
信道 - 请参考图35，用于更好地理解。
其结果是，在SR MOSFET被关断过早和
开关电源的效率不是最优化的。
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