SFF2N60
电气特性（TC = 25 ° C）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
V
DS
=480V,T
C
=125℃
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
3.8
2.0
270
40
5
10
25
20
25
最大
±100
-
10
100
-
4
4.7
-
350
50
7
30
60
50
60
团结
nA
V
A
A
V
V
S
排水截止电流
I
DSS
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=0.8A
V
DS
=50V,I
D
=0.8A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=2.4A
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
g
Q
gs
V
DD
=320V,
V
GS
=10V,
I
D
=6.5A
(Note4,5)
-
9.0
11
-
1.6
-
nC
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
Q
gd
-
4.3
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
TRR
测试条件
-
-
I
DR
=2A,V
GS
=0V
I
DR
=2A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
180
0.72
最大
2
9.5
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
记
1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=18.5mH,I
AS
=2A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3. I
SD
≤2A ，二/ dt≤200A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起动TJ = 25
℃
4.Pulse测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤2%
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，全方位为您提前
