SFF2N60
硅N沟道MOSFET
特点
■ 2A ， 600V ，R
DS （ ON）
（最大4.7Ω ） @V
GS
=10V
■超低栅极电荷（典型9.0nC ）
快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
漏源电压
连续漏电流（ @T
C
=25℃)
连续漏电流（ @T
C
=100℃)
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
漏电流脉冲
栅极至源极电压
SinglePulsed雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25℃)
降额因子above25 ℃
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
参数
价值
600
2.0*
1.5*
9.5*
±30
140
2.8
4.5
23
0.18
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
*漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
民
-
-
价值
典型值
-
-
最大
5.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司，保留所有权利。
SFF2N60
电气特性（TC = 25 ° C）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
V
DS
=480V,T
C
=125℃
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
3.8
2.0
270
40
5
10
25
20
25
最大
±100
-
10
100
-
4
4.7
-
350
50
7
30
60
50
60
团结
nA
V
A
A
V
V
S
排水截止电流
I
DSS
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=0.8A
V
DS
=50V,I
D
=0.8A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=2.4A
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
g
Q
gs
V
DD
=320V,
V
GS
=10V,
I
D
=6.5A
(Note4,5)
-
9.0
11
-
1.6
-
nC
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
Q
gd
-
4.3
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
TRR
测试条件
-
-
I
DR
=2A,V
GS
=0V
I
DR
=2A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
180
0.72
最大
2
9.5
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
记
1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=18.5mH,I
AS
=2A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3. I
SD
≤2A ，二/ dt≤200A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起动TJ = 25
℃
4.Pulse测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤2%
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
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稳定，全方位为您提前
SEMIWELL
半导体
SFF2N60
N沟道MOSFET
特点
◆
◆
◆
◆
R
DS （ ON）
最大5.0ohm在V
GS
= 10V
栅极电荷（典型9.0nC ）
提高dv / dt能力，快速开关
100％的雪崩测试
概述
该MOSFET采用先进的平面带生产
DMOS
技术。
这
最新
技术
有
一直
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻有
高雪崩坚固耐用的特点。这些设备都很好
适用于高效率开关模式电源主动
功率因数校正。基于半桥电子灯
拓扑
绝对最大额定值（T
J
= 25℃
除非另有规定编）
符号
V
DSS
I
D
漏源电压
漏电流
T
C
=25℃
参数
评级
600
2
单位
V
A
T
C
=100℃
V
GSS
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
, T
英镑
栅源电压
漏电流
脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
1.35
±
30
8
130
5.55
4.5
23.6
-45 ~ 150
V
A
mJ
mJ
V / ns的
W
℃
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散T
C
=25℃
操作和存储温度范围
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利
SFF2N60
开关特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
项
导通延迟时间
条件
民
典型值。
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 300V ，我
D
= 2.0A
开启上升时间
R
G
= 25
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ，我
D
= 2.0A
V
GS
= 10V
25
25
30
9
1.5
（注4,5 ）
（注4,5 ）
4.0
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
s
= 2.0A
V
GS
= 0V时，我
s
= 2.0A
dl
F
/ DT = 100 A /美
（注4 ）
230
1.0
2.0
8.0
1.4
A
A
V
nS
uC
笔记
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 60mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
，起始物为
J
= 25
℃
3. I
SD
≤ 2.0A ，的di / dt ≤ 200A / us的，V
DD
= BV
DSS
，起始物为
J
= 25
℃
4.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.基本上是独立的工作温度
3/5
QQ：2880707522 复制
