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FDG6332C_F085 20V & P沟道PowerTrench MOSFET的
2009年3月
FDG6332C_F085
20V & P沟道PowerTrench
MOSFET的
特点
Q1
0.7 A ， 20V 。
R
DS （ ON）
= 300毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 400毫欧@ V
GS
= 2.5 V
Q2
-0.6 A， -20V 。
R
DS （ ON）
= 420毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 630毫欧@ V
GS
= –2.5 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
SC70-6封装：占地面积小（小于51 ％小
SSOT -6）;低调（ 1mm厚）
符合AEC Q101
符合RoHS
概述
N个& P沟道MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持优异
开关性能。
这些设备被设计成提供
在一个非常小的足迹出色的功耗
对于应用中的更大更昂贵
TSSOP - 8和SSOP - 6包是不切实际的。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器
S
G
D
D
销1
1
2
3
补充
6
5
4
G
S
SC70-6
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
20
±12
（注1 ）
Q2
–20
±12
–0.6
–2
0.3
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
0.7
2.1
功率消耗单操作
（注1 ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1 ）
415
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.32
设备
FDG6332C_F085
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2009
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDG6332C_F085版本C2 （ W）
